什么是沉积的层法？Pvd 与 Cvd 薄膜技术指南

虽然“沉积的层法”不是一个标准的行业术语，但它准确地描述了薄膜沉积的目标：将微观材料层施加到表面或基底上的过程。实现这一目标的两种主要专业方法是物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)，它们通过根本不同的方式实现相同的目标。

“层法”一词描述了期望的结果——逐层构建材料层。然而，关键的区别在于该层是如何创建的：物理传输固体材料 (PVD) 与在表面上发生化学反应的气体 (CVD)。

基本目标：逐层构建材料

薄膜沉积是现代工程和材料科学中的一个基础过程。它涉及在称为基底的基础材料上添加材料，通常只有几个原子或分子厚。

目标是创建一个具有基底本身不具备的特性的新表面，例如导电性、耐磨性或特定的光学特性。

几乎所有先进电子产品都依赖于这个过程。微芯片、太阳能电池板、LED 屏幕和光学透镜都是通过在基底上精心沉积各种导体、半导体和绝缘体的薄膜来制造的。

要理解沉积，最好根据材料来源将方法分为两大类：一种是物理的，另一种是化学的。

PVD 是一种将固体或液体材料在真空中汽化，并以原子或分子的形式传输到基底上，然后凝结回固体薄膜的过程。

把它想象成一个原子级的喷漆罐。固体靶材受到能量（如离子束或电力）的轰击，直到其原子被喷射出来，穿过真空，并粘附到基底上。

CVD 使用挥发性前体气体，这些气体在基底表面反应或分解，从而产生所需的固体沉积物。

这更像是烘焙蛋糕。你将特定的配料气体引入一个热腔。基底表面的热量充当催化剂，导致气体发生反应并在其上“烘烤”出坚固、高纯度的薄膜。

PVD 和 CVD 之间的选择取决于所需的薄膜特性、沉积的材料以及基底的形状。

在 PVD 中，源材料是物理汽化的固体靶材。这使其非常适合沉积纯金属和合金。

在 CVD 中，源材料由一种或多种前体气体组成。这种方法非常适合创建高纯度化合物，例如氮化硅或碳化钨。

PVD 几乎总是需要高真空，以使源中的原子能够到达基底而不会与其他气体分子碰撞。

CVD 可以在更宽的压力范围内进行，但通常需要非常高的温度来驱动基底表面上必要的化学反应。

CVD 通常能够生产具有极高纯度和晶体质量的薄膜。化学反应过程可以精确控制以构建完美的原子结构。

PVD 薄膜适用于许多应用，但与最好的 CVD 薄膜相比，它们有时可能具有更多的结构缺陷或杂质。

共形覆盖是指薄膜均匀覆盖具有复杂、非平面特征（如沟槽或台阶）的基底的能力。

由于 CVD 涉及可以到达复杂表面所有部分的气体，因此它提供了卓越的共形覆盖。PVD 是一个“视线”过程，因此难以覆盖阴影区域或深沟槽的侧面。

选择正确的沉积方法需要了解这两种基本技术之间的权衡。

了解这些物理和化学途径之间的区别是掌握现代材料制造的第一步。