与传统的化学气相沉积（CVD）相比，PECVD 工艺是一种用于半导体制造的方法，可在较低温度下在基底上沉积薄膜。
这是通过使用等离子体来增强薄膜沉积所需的化学反应来实现的。
5 个要点说明
1.反应气体的活化
在 PECVD 系统中，反应气体被引入两个电极之间。
一个电极接地，另一个电极通过射频 (RF) 电源通电。
频率为 13.56 MHz 的射频功率用于在这两个电极之间产生等离子体。
等离子体的形成是由于电极之间的电容耦合作用，使气体电离，并通过碰撞产生活性高能物种。
2.化学反应
等离子体中产生的活性物质会发生化学反应。
这些反应由等离子体提供的能量驱动，其效率高于热能。
这些反应的产物会以薄膜的形式沉积在基底上。
3.在基底上沉积
反应物通过鞘（等离子体和电极之间的区域）扩散并吸附到基底表面。
在此，它们与表面相互作用，形成一层材料。
这一过程一直持续到达到所需的薄膜厚度为止。
4.4. PECVD 的优势
PECVD 尤其适用于需要保持基底低温的情况。
这可能是由于基底材料的热敏感性或需要防止杂质从基底扩散到沉积薄膜中。
PECVD 可以沉积高质量的薄膜，而不会因高温而损坏基底或改变其特性。
5.在半导体行业的应用
PECVD 能够在无法承受传统 CVD 工艺高温的表面沉积薄膜，因此被广泛应用于半导体行业。
这包括沉积各种电介质材料，如二氧化硅和氮化硅，它们对集成电路的制造至关重要。
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