等离子体 CVD 与热 CVD 的主要区别在于引发化学反应的方法和沉积过程的温度要求。
总结：
- 热 CVD 依靠高温引发化学反应进行薄膜沉积，通常在 1000°C 左右的温度下运行。
- 等离子体 CVD，特别是等离子体增强型 CVD (PECVD)，使用等离子体引发化学反应，使沉积温度大大降低，通常在 300°C 至 350°C 左右。
详细说明：
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热化学气相沉积：
- 机理： 在热化学气相沉积过程中，沉积薄膜所需的化学反应完全由热量引发。基底和反应气体被加热到高温，通常约为 1000°C，以促进反应气体的分解，随后将所需材料沉积到基底上。
- 温度要求： 高温对化学反应的活化至关重要。这一要求可能会限制可沉积的材料类型，因为在高温下基底可能会受损或某些材料会降解。
- 应用： 热化学气相沉积广泛用于沉积可承受高温的材料，以及热能足以驱动必要化学反应的工艺。
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等离子体化学气相沉积（PECVD）：
- 机理： 等离子体 CVD 将等离子体引入沉积室。通过施加电场产生的等离子体可激发反应气体，提高它们的能级，促进化学反应的发生，但温度比热 CVD 低得多。这种方法涉及气体电离，然后发生反应，在基底上形成所需的薄膜。
- 温度要求： PECVD 的工作温度要低得多，通常在 300°C 至 350°C 之间。这种较低的温度要求对于沉积对高温敏感的材料和无法承受热化学气相沉积法所需高温的基底至关重要。
- 应用： PECVD 特别适用于沉积对热敏感的材料薄膜，如某些聚合物和半导体。它还适用于对保持基底完整性至关重要的工艺。
结论
在等离子体 CVD 和热 CVD 之间做出选择取决于应用的具体要求，包括材料特性、基底的温度敏感性以及所需的沉积薄膜质量和特性。等离子体 CVD 具有操作温度较低的优势，这对于敏感材料和基底至关重要，而热 CVD 对于需要高活化能沉积的材料非常有效。
