氮化硅 PECVD 是一种用于在硅晶片上沉积氮化硅薄膜的工艺。
该技术广泛应用于半导体器件制造、集成电路和太阳能电池制造等领域。
与其他化学气相沉积（CVD）方法相比，PECVD 可以在较低温度下沉积高质量、均匀且可重复的氮化硅层。
什么是氮化硅 PECVD 工艺？(4 个关键步骤说明）
1.制备反应物
氮化硅的沉积通常需要使用硅烷 (SiH4) 和氨气 (NH3) 或氮气 (N2) 作为前驱气体。
这些气体被引入 PECVD 反应器，在等离子条件下发生反应，形成氮化硅。
2.等离子活化
在 PECVD 反应器中，通过射频（RF）场产生等离子体。
该等离子体激发并电离前驱体气体，提高化学反应活性，使沉积在较低温度下进行。
3.沉积
等离子体中的活性物质发生反应形成氮化硅，氮化硅以薄膜形式沉积在硅晶片表面。
对压力、温度和等离子功率等条件进行严格控制，以优化薄膜特性，包括其化学计量、应力和均匀性。
4.沉积后处理
沉积后，氮化硅薄膜可能需要经过其他处理或工艺，以增强其性能或将其整合到器件结构中。
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