等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是化学气相沉积（CVD）的一种特殊形式，它利用等离子体增强薄膜在基底上的沉积。
与传统的化学气相沉积法相比，这种工艺的优势在于能够在较低的温度下运行。
因此，它适合在对温度敏感的基底上沉积薄膜。
什么是等离子体增强化学气相沉积工艺？5 个要点说明
1.等离子体的产生
在等离子体增强化学气相沉积工艺中，等离子体是通过在反应器中的两个电极之间施加频率为 13.56 MHz 的射频能量而产生的。
这种能量点燃并维持辉光放电，这是等离子体的可见表现。
等离子体由带电粒子（离子和电子）和中性粒子的混合物组成，所有这些粒子都因其通电状态而具有高活性。
2.活性气体的活化
引入反应器的前驱气体混合物与等离子体中的高能粒子碰撞后，会发生各种化学和物理变化。
这些碰撞使气体分子破裂，形成自由基和离子等活性物质。
这一过程至关重要，因为它降低了导致薄膜沉积的化学反应所需的活化能。
3.薄膜沉积
等离子体中产生的活性物质通过鞘（基底附近的高电场区域）扩散并吸附到基底表面。
在这里，它们会发生进一步的反应，形成所需的薄膜。
使用等离子体可使这些反应在通常为 200-400°C 的温度下进行，大大低于低压化学气相沉积（LPCVD）所需的 425-900°C 温度。
4.4. PECVD 薄膜的特点
低温沉积： 使用等离子体可使沉积过程在较低温度下进行，这对不能承受高温的基底非常有利。
这也降低了基底受热损坏或发生不必要化学反应的风险。
薄膜与基底之间的良好粘合： 由于沉积过程的可控性，PECVD 薄膜与基底之间通常具有很强的粘合力，可最大限度地减少不必要的化学反应和热应力。
5.应用和优势
PECVD 是一种在低温下沉积薄膜的多功能高效方法，因此在半导体行业和使用温度敏感基底的其他领域非常有价值。
通过等离子活化来控制沉积过程的能力，可以制造出具有精确特性的高质量薄膜，满足特定应用的需要。
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