等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是化学气相沉积（CVD）的一种特殊形式，它利用等离子体增强薄膜在基底上的沉积。与传统的化学气相沉积方法相比，该工艺的优势在于能够在较低的温度下运行，因此适合在对温度敏感的基底上沉积薄膜。
工艺概述：
PECVD 包括使用射频 (RF) 或直流 (DC) 放电产生的等离子体来激活活性气体并为其提供能量。这种活化有利于在比标准 CVD 工艺通常要求更低的温度下沉积薄膜。等离子体可增强薄膜形成所需的化学反应，从而无需较高的基底温度即可沉积出高质量的薄膜。
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详细说明：等离子体的产生：
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在 PECVD 中，等离子体是通过在反应器中的两个电极之间施加频率为 13.56 MHz 的射频能量而产生的。这种能量点燃并维持辉光放电，这是等离子体的可见表现形式。等离子体由带电粒子（离子和电子）和中性粒子的混合物组成，所有这些粒子都因其通电状态而具有高活性。
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活化反应气体：
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引入反应器的前驱气体混合物与等离子体中的高能粒子碰撞后，会发生各种化学和物理变化。这些碰撞使气体分子破裂，形成自由基和离子等活性物质。这一过程至关重要，因为它降低了导致薄膜沉积的化学反应所需的活化能。
- 薄膜沉积：
- 等离子体中产生的活性物质通过鞘（基底附近的高电场区域）扩散并吸附到基底表面。在这里，它们会发生进一步的反应，形成所需的薄膜。使用等离子体可使这些反应在通常为 200-400°C 的温度下进行，大大低于低压化学气相沉积（LPCVD）所需的 425-900°C 温度。PECVD 薄膜的特点：
低温沉积： 使用等离子体可使沉积过程在较低温度下进行，这对不能承受高温的基底非常有利。这也降低了基底受热损坏或发生不必要化学反应的风险。
薄膜与基底之间的良好粘合：
