PECVD 或等离子体增强化学气相沉积是一种利用等离子体增强沉积过程的低温沉积技术。这种方法能够沉积多种材料，是各行各业的通用工具。
PECVD 可沉积哪些材料？(4 种关键材料解析）
1.硅基薄膜
- 多晶硅： 这种材料广泛用于半导体设备。多晶硅通过 PECVD 在低温下沉积，这对保持基底的完整性至关重要。
- 氧化硅和氮化硅： 这些材料通常用作微电子器件的绝缘层和钝化层。PECVD 可以在低于 400°C 的温度下进行沉积，这对温度敏感的基底非常有利。
2.类金刚石碳（DLC）
- 类金刚石碳是一种无定形碳，以硬度高著称。它可用于要求高耐磨性和低摩擦的应用。由于 PECVD 能够在低温下处理复杂的化学成分，因此能有效地沉积 DLC。
3.金属化合物
- 氧化物、氮化物和硼化物： 这些材料应用广泛，包括硬涂层、电绝缘体和扩散屏障。PECVD 能够在低温下沉积这些材料，因此适用于各种基底。
4.应用
- PECVD 薄膜在许多设备中发挥着重要作用，可用作封装材料、钝化层、硬掩膜和绝缘体。它们还可用于光学镀膜、射频滤波器调谐以及 MEMS 设备中的牺牲层。
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