在 PECVD 中沉积的材料包括各种元素和化合物，如金刚石和类金刚石薄膜形式的碳、金属、氧化物、氮化物和硼化物。常见的沉积薄膜有多晶硅、掺杂和未掺杂氧化物以及氮化物。
总结：
PECVD 是一种利用等离子体增强沉积过程的低温沉积技术。它能够沉积多种材料，包括硅基薄膜、类金刚石碳和各种金属化合物。
-
详细说明：
- 硅基薄膜：多晶硅：
- 多晶硅用于半导体设备，通过 PECVD 在低温下沉积，这对保持基底的完整性至关重要。氧化硅和氮化硅：
-
这些材料通常用作微电子器件的绝缘层和钝化层。PECVD 可以在低于 400°C 的温度下进行沉积，这对温度敏感的基底非常有利。
- 类金刚石碳（DLC）：
-
DLC 是一种无定形碳，具有很高的硬度，可用于要求高耐磨性和低摩擦的应用中。PECVD 能够在低温下处理复杂的化学成分，因此能有效沉积 DLC。
- 金属化合物：氧化物、氮化物和硼化物：
-
这些材料应用广泛，包括硬涂层、电绝缘体和扩散屏障。PECVD 能够在低温下沉积这些材料，因此适用于各种基底。
- 应用：
PECVD 薄膜是许多设备不可或缺的组成部分，可用作封装材料、钝化层、硬掩膜和绝缘体。它们还可用于光学镀膜、射频滤波器调谐以及 MEMS 设备中的牺牲层。更正和审查：
