等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是半导体行业使用的一种专门技术。
与传统的化学气相沉积 (CVD) 方法相比，它能在更低的温度下将薄膜沉积到基底上。
该工艺使用等离子体来增强薄膜沉积所需的化学反应。
5 个要点说明
1.等离子体的产生
PECVD 中的等离子体通常是通过两个电极之间的射频或直流放电产生的。
这些电极之间的空间充满活性气体。
放电使气体电离，产生富含高能粒子的等离子体。
2.化学反应
通电等离子体增强了反应物质的化学活性。
这种活化导致化学反应，将所需材料沉积到基底上。
反应发生在基底表面，等离子体与材料相互作用。
3.薄膜沉积
基底（通常是半导体材料）被放置在沉积室中，并保持在特定温度下。
等离子体增强反应会在基底上沉积一层薄膜。
薄膜可由各种材料组成，具体取决于特定应用和工艺中使用的气体。
4.4. PECVD 的优点
与其他 CVD 方法相比，PECVD 的主要优点之一是能在较低温度下沉积薄膜。
这对温度敏感基底的完整性至关重要。
PECVD 的典型加工温度范围为 200-400°C，大大低于低压化学气相沉积 (LPCVD) 的 425-900°C 范围。
5.应用
PECVD 广泛应用于半导体工业，用于沉积制造电子设备所需的各类薄膜。
它尤其适用于沉积需要精确控制其化学和物理特性的薄膜。
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