什么是脉冲直流溅射技术？一种沉积绝缘膜的稳定方法

简而言之，脉冲直流溅射是一种薄膜沉积技术，其中施加到溅射靶材的电能以短促、快速的脉冲而非连续电流的形式提供。这种方法专门设计用于克服溅射绝缘（介电）材料的关键挑战，而这在标准直流（DC）溅射中是不可能实现的。

脉冲直流溅射的核心目的是防止一种破坏性的电现象，即“电弧”。通过周期性地反转绝缘靶材上的电压，它中和了否则会停止过程的电荷积累，从而实现高质量陶瓷和氧化物薄膜的稳定沉积。

基础：标准直流溅射

要理解脉冲直流，我们必须首先了解标准直流过程。溅射是一种真空沉积方法，用于在基板上创建极薄的涂层。

该过程首先将要涂覆的材料（基板）和涂层材料（靶材）放入真空室中。腔室中充满惰性气体，通常是氩气。

对靶材施加一个强大、连续的负直流电压。这种高电压将氩气点燃成等离子体，等离子体是正氩离子和自由电子的云团。

带正电的氩离子被强烈吸引到带负电的靶材上。它们加速并撞击靶材表面，物理性地击落或“溅射”靶材原子。这些被溅射的原子随后穿过腔室并沉积到基板上，逐层形成薄膜。

标准直流溅射高效且有效，但它有一个主要限制：它只适用于导电靶材，例如金属。

如果您尝试溅射绝缘材料，如氧化物或陶瓷，就会出现一个根本性问题。正氩离子撞击靶材，但由于材料是绝缘体，它们的正电荷无法消散。

这种电荷在靶材表面迅速积累。

这层正电荷，被称为“靶材中毒”，会排斥传入的正氩离子。这有效地停止了溅射过程。

更糟糕的是，巨大的电势会积累，直到它以强大的电弧形式无法控制地放电。这些电弧会损坏靶材、基板以及正在沉积的脆弱薄膜，使过程变得不稳定和无用。

脉冲直流溅射通过一个简单但巧妙的修改解决了电弧问题：它以受控的循环方式开启和关闭电源。

在短时间内，对靶材施加负电压，溅射过程就像标准直流过程一样进行。在此阶段，正电荷开始在绝缘靶材表面积累。

在电荷积累到足以引起电弧的水平之前，电源会短暂地将电压切换到略微正的电位（或完全关闭）。这种短促的正脉冲将等离子体中的自由电子吸引到靶材表面。

这些电子立即中和了在开启时间内积累的正电荷，有效地“重置”了靶材表面。

通过每秒重复这个循环数万次（在千赫兹范围内），脉冲直流溅射防止了电荷积累到危险水平。这使得高质量绝缘膜能够平稳、稳定、无电弧地沉积。

尽管它解决了关键问题，但脉冲直流溅射有一些考虑因素，使其与其他方法有所不同。

由于电源并非100%的时间都处于活动状态，因此材料的沉积速率本质上低于使用标准直流溅射导电靶材所能达到的速率。

产生精确、高频脉冲所需的硬件比简单的连续直流电源更复杂、成本更高。

脉冲频率和占空比（开启时间与总循环时间的比率）成为必须仔细优化以实现所需薄膜特性和沉积速率的关键工艺参数。

选择正确的溅射技术完全取决于您打算沉积的材料。

最终，脉冲直流技术从根本上扩展了溅射的能力，使得先进介电和陶瓷薄膜的制造成为可能，这对于现代电子和光学至关重要。