脉冲直流磁控溅射是一种专门的物理气相沉积（PVD）技术，用于制造包括导体和绝缘体在内的材料薄膜。
这种技术在反应离子溅射中尤其具有优势，因为它能够降低电弧放电损坏的风险。
电弧放电可因靶材上的电荷积累而发生，对薄膜和电源都不利。
5 个要点说明
1.脉冲直流溅射的机理
在脉冲直流溅射中，电源被调制为以短时间、受控的脉冲形式提供能量。
这种脉冲有助于管理目标上的电荷积聚，这是防止电弧放电的关键因素。
电源的脉冲特性使能量释放更可控，降低了损坏靶材和沉积薄膜的可能性。
2.与传统直流溅射相比的优势
减少电弧放电： 通过使用脉冲电源，该技术可有效减少电弧放电的发生，而电弧放电是传统直流溅射中的一个重要问题，尤其是在使用活性气体时。
提高薄膜质量： 脉冲直流溅射中的可控能量传输可提高薄膜质量和均匀性，因为该工艺可根据沉积的特定材料进行微调。
多功能性： 这种方法既适用于导电材料，也适用于非导电材料，从而扩大了其在半导体、光学和装饰涂层等多个行业的应用范围。
3.运行参数
电源： 脉冲直流溅射的电源是一个调制直流电源，它以脉冲而不是连续流的方式提供能量。
腔室压力： 与传统直流溅射类似，腔室压力通常在 1 到 100 mTorr 之间，具体取决于沉积材料的特定要求。
目标材料： 该技术对铁（Fe）、铜（Cu）和镍（Ni）等纯金属靶特别有效，但也可用于其他材料。
4.结论
脉冲直流磁控溅射是一种复杂的 PVD 技术，与传统的直流溅射相比有显著的改进。
特别是在减少电弧放电和提高沉积薄膜质量方面。
它既能处理导电材料，也能处理非导电材料，因此是为各种应用制造薄膜的通用而宝贵的工具。
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