真空在沉积过程中起着至关重要的作用，原因有以下几点。
真空在沉积过程中的 5 大优势
1.增加平均自由路径
在真空中，原子和离子的平均自由路径显著增加。
这意味着粒子可以在不与其他粒子碰撞的情况下移动更长的距离。
这在沉积过程中至关重要，因为它允许沉积材料到达基底，而不会产生不必要的相互作用。
这确保了更清洁、更可控的沉积。
2.减少气体污染
真空环境可减少背景气体的存在。
这可能会污染沉积过程。
通过最大限度地减少气体污染，可提高沉积薄膜的质量和纯度。
这在要求高精度和高纯度的应用中尤为重要，例如半导体制造。
3.促进等离子体形成
在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和物理气相沉积（PVD）等过程中，真空是建立和维持等离子体的必要条件。
真空室中的气体压力会影响等离子体的特性。
这包括带电和不带电粒子的密度和能量分布。
对等离子体特性的控制对于活化活性气体和破碎化学气相前驱体至关重要。
这些都是沉积过程中的关键步骤。
4.增强离子轰击
在 PVD 和低压化学气相沉积（LPCVD）中，利用电场可将真空中产生的离子加速到高能量。
这些高能离子可用于从源溅射材料，为沉积提供材料。
它们还可以轰击生长中的薄膜，改变其特性。
这种离子轰击可以增强沉积薄膜的附着力、密度和其他特性。
5.改善均匀性和控制
通过降低气体压力，真空可防止气化原子成核形成烟尘。
这样就能更好地控制沉积过程。
这对于实现大面积或复杂表面的均匀沉积至关重要。
它还有助于同时为多个基底镀膜。
真空环境还有助于保持稳定的沉积速率。
这对于制造过程中的可重复性和高产量至关重要。
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