真空在沉积过程中的作用至关重要，原因有以下几点：
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增加平均自由路径:在真空中，原子和离子的平均自由路径显著增加。这意味着粒子可以在不与其他粒子碰撞的情况下飞行更长的距离。这在沉积过程中至关重要，因为它允许沉积材料到达基底，而不会发生不必要的相互作用，从而确保更清洁、更可控的沉积。
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减少气态污染:真空环境可减少可能污染沉积过程的背景气体。通过最大限度地减少气体污染，可提高沉积薄膜的质量和纯度。这对于要求高精度和高纯度的应用（如半导体制造）尤为重要。
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促进等离子体形成:在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 和物理气相沉积 (PVD) 等过程中，必须使用真空来建立和维持等离子体。真空室中的气体压力会影响等离子体的特性，包括带电和不带电粒子的密度和能量分布。对等离子体特性的控制对于活化活性气体和破碎化学气相前驱体至关重要，而这正是沉积过程的关键步骤。
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增强离子轰击:在 PVD 和低压化学气相沉积（LPCVD）中，利用电场可将真空中产生的离子加速到高能量。这些高能离子可用于从源溅射材料，为沉积提供材料，或轰击生长中的薄膜，改变其特性。这种离子轰击可增强沉积薄膜的附着力、密度和其他特性。
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改善均匀性和控制:通过降低气体压力，真空可防止气化原子成核形成烟尘，从而更好地控制沉积过程。这对于实现大面积或复杂表面的均匀沉积以及同时为多个基底镀膜至关重要。真空环境还有助于保持稳定的沉积速率，这对于制造过程中的可重复性和高产量至关重要。
总之，真空通过提供可控环境，提高沉积薄膜的效率、纯度和质量，在沉积过程中发挥着举足轻重的作用。它能够操纵粒子动力学，减少污染，并有助于使用等离子体和离子轰击来调整沉积材料的特性。
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