磁控溅射的过程是什么？先进薄膜沉积指南

从本质上讲，磁控溅射是一种用于制造超薄材料膜的物理气相沉积（PVD）技术。 它在真空中运行，通过产生一个磁约束的电离气体等离子体。这些离子以足够的力加速轰击源材料，即靶材，从而将原子“溅射”出来，这些原子随后传输并凝结在基板上，形成所需的涂层。

磁控溅射的核心创新不在于溅射本身，而在于使用磁场将电子限制在靶材附近。这会产生一个高密度且高效的等离子体，与旧方法相比，极大地提高了沉积速率并改善了薄膜质量。

基本过程：从离子到薄膜

要了解磁控溅射的工作原理，最好将其分解为在真空室内发生的关键步骤序列。

整个过程必须在真空中进行。这样做是为了去除可能污染薄膜或干扰被溅射原子运动的大气气体。

建立真空后，向腔室中引入少量受控的惰性气体，通常是氩气。这种气体将成为轰击离子的来源。

对靶材施加高负电压（通常约为-300V），靶材充当阴极。这种强大的负电荷开始从氩气原子中剥离电子，产生带正电的氩离子和自由电子。这种离子和电子的混合物就是等离子体。

这是该过程的关键。强大的磁铁放置在靶材后面。该磁场会捕获自由电子，迫使它们以螺旋路径靠近靶材表面。

如果没有这个磁阱，电子就会飞走并丢失。通过捕获它们，它们与更多的氩原子碰撞并使其电离的概率呈指数级增加。这会在靶材正前方产生一个非常密集、稳定的等离子体，使其效率最高。

靶材上的强负电荷会强烈吸引新形成的氩正离子。它们加速并以显著的动能轰击靶材表面。

这种撞击会在靶材的原子结构内部引发碰撞级联。当这种能量级联到达表面时，它可以克服材料的结合能，将靶材的单个原子喷射到真空室中。

从靶材溅射出的原子穿过真空室。当它们到达基板（被涂覆的物体）时，它们会凝结在其表面上。

随着时间的推移，这个过程会一层一层地形成一层薄的、均匀的、高纯度的薄膜。

尽管磁控溅射功能强大，但它并非万能的解决方案。了解其局限性对于成功应用至关重要。

最常用的直流磁控溅射方法非常适用于导电靶材。然而，如果靶材是绝缘体，轰击离子的正电荷会在其表面积聚，中和负偏压并停止该过程。这需要使用替代电源，例如射频（RF）。

溅射本质上是一个视线过程。被溅射的原子以相对直线的路径从靶材传输到基板。这使得在复杂的三维物体上实现均匀涂层非常困难，除非使用复杂的基板旋转和操纵。

要制造复合薄膜（如氮化钛或氧化铝），腔室内会添加反应性气体（如氮气或氧气）。这个过程可能难以控制，因为反应性气体可能会在靶材本身形成一层绝缘层，这种现象被称为靶材中毒，这会大大降低沉积速率。

该方法具有很高的适应性，但您的目标决定了最佳方法。

通过了解这些核心原理，您可以有效地利用这个一次一个原子构建先进材料的过程。