真空升华法是一种物理气相沉积（PVD）工艺。
在这种工艺中，固体材料在高真空环境中加热。
材料升华，直接变成蒸汽，而不经过液相。
气化后的材料凝结在基底上形成薄膜。
这种方法通常用于微电子领域，用于制造有源元件、设备触点、金属互连和各种薄膜应用。
什么是真空升华法？4 个要点说明
1.工艺设置和条件
真空升华法在非常低的压力下运行。
通常，压力范围在 10^-5 到 10^-9 托之间。
这种高真空环境最大程度地减少了气化材料与气体分子之间的碰撞。
它能确保干净直接地沉积到基底上。
要升华的材料必须达到其蒸气压至少为 10 mTorr 或更高的温度。
这样才能确保显著的沉积率。
2.蒸发源
固体材料的加热有多种来源。
对于气化温度低于 1,500°C 的材料，这些来源包括电阻加热丝、舟或坩埚。
对于温度较高的材料，则使用高能电子束。
汽化材料的轨迹是 "视线"。
这意味着它直接从源头到达基底，没有明显的偏差。
3.应用和优势
这种方法尤其适用于微电子领域。
它用于沉积金属、合金和陶瓷薄膜。
它对于在半导体器件、电阻器、电容器和其他电子元件中形成精确可控的薄膜层至关重要。
真空升华法能更好地控制沉积过程。
它能确保沉积薄膜的高纯度和均匀性。
4.与其他真空沉积技术的比较
与涉及气相化学反应的化学气相沉积（CVD）不同，真空升华是一种纯物理过程。
这意味着不涉及气相化学反应。
这可能会产生纯度更高的沉积物。
与简单的蒸发技术相比，真空升华具有更好的附着力和更强的控制能力。
在处理合金和复杂材料时尤其如此。
总之，真空升华法是一种高度可控和精确的 PVD 技术。
它用于在微电子和其他高科技应用中沉积薄膜。
它在高真空条件下运行。
它使用各种加热方法将源材料直接升华到基底上。
这确保了沉积薄膜的高纯度和均匀性。
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