集成电路制造中的薄膜沉积是一项关键工艺，涉及在基底（通常是硅晶片）上涂敷一层薄薄的材料。
这一工艺对于制造二极管、微处理器和晶体管等微电子器件至关重要。
薄膜的厚度通常小于 1000 纳米。
薄膜是利用沉积技术将材料从蒸发或溶解状态哄骗到基底表面而形成的。
5 个关键方面的解释
1.沉积过程
沉积过程开始于颗粒从一个源发射。
这可以通过加热、高压或化学反应来启动。
然后，这些微粒被传送到基底，在那里凝结并形成一层薄膜。
薄膜沉积的两种主要方法是化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。
2.化学气相沉积（CVD）
化学气相沉积是通过气态化合物的反应在基底上形成固体薄膜。
这种方法能沉积出高质量的薄膜，并能精确控制薄膜的成分和厚度，因此被广泛应用于半导体行业。
CVD 工艺可进一步分为低压 CVD（LPCVD）和等离子体增强 CVD（PECVD）等多种类型，每种类型都是根据对薄膜特性的具体要求而定制的。
3.物理气相沉积（PVD）
物理气相沉积涉及将固体材料蒸发并冷凝到基底上的物理过程。
PVD 技术包括溅射和蒸发，其中电子束蒸发是一种使用电子束加热和蒸发材料的特殊方法。
PVD 以其简单和能够沉积多种材料而著称。
4.应用和重要性
薄膜沉积不仅对电子工业至关重要，而且还可用于制造光学涂层。
这些涂层可以减少反射和散射，保护元件免受环境破坏，从而提高光学设备的性能。
控制薄膜厚度和成分的能力使其能够操纵电子特性，使其成为制造现代电子设备的一项基本技术，也是新兴纳米技术领域的一个关键组成部分。
5.历史背景
最古老的薄膜沉积方式之一是电镀，自 19 世纪初以来，电镀已被广泛应用于从银器到汽车保险杠等各种领域。
这种方法是将目标物体浸入含有溶解金属原子的化学槽中，然后施加电流使其沉积到目标物体上。
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