实验室培育钻石的生长速度因使用的方法而异，化学气相沉积（CVD）通常需要 4 到 6 周，高压高温（HPHT）可能更快，但对于宝石级钻石来说并不常见。
化学气相沉积法（CVD）：
化学气相沉积是指在低压和 700°C 至 1300°C 高温的离子气体反应器中培养钻石。该过程包括分离气体中的分子并将其逐层沉积在基底上。生长期一般为 4 到 6 周，时间长短直接影响钻石的最终尺寸。CVD 是一种复杂的工艺，需要多次去除石墨层才能获得较大的金刚石，因此非常耗时。生长条件必须严格遵守，任何偏差都可能导致生长停止，或产生大量杂质的钻石，使其用途受到限制。生长速度也随钻石颜色的不同而变化，由于在较长的生长周期中更容易出现故障，因此大尺寸钻石的生长难度成倍增加。高压高温（HPHT）：
高压高温是指将金刚石籽粒放入专门设计的压力机中，使其承受 1300-1600 °C 的高温和超过 870000 磅/平方英寸的压力。在这种环境下，熔融金属溶解高纯度碳源，碳原子析出到种子晶体上，使金刚石生长。与 CVD 相比，这种方法较少用于生产宝石级钻石，但有可能在受控条件下更快地实现钻石生长。这两种方法都需要精确控制温度和压力，以确保钻石的成功生长。由于工业和学术界的需求，对更快生长速度的要求很高，从而导致了通过各种策略提高等离子体密度和最大限度减少缺陷的研究。引入氮气也可以提高 CVD 的生长速度。总之，虽然 CVD 的生长速度和挑战更常用，也更容易理解，但 HPHT 为金刚石生长提供了一种潜在的更快但技术要求更高的替代方法。
