使用化学气相沉积（CVD）技术在实验室合成一颗钻石通常需要 4 到 6 周时间，而使用高压高温（HPHT）方法合成一颗 1 克拉的钻石则需要 8 到 10 个工作日。该工艺是在模拟天然形成过程的受控条件下培育钻石。
化学气相沉积（CVD）：
在 CVD 工艺中，碳原子被引入一个离子气体反应器，钻石在该反应器中以低压和高温（通常为 700°C 至 1300°C）生长。气体分子逐层分离并在基底上生长。这种方法相对较慢，分子移动速度约为每小时 0.1-10 微米。使用金刚石种子生长出单晶金刚石大约需要 4 到 6 周的时间。生长时间直接影响钻石的最终尺寸，而且这一过程需要多次去除石墨层才能形成较大的钻石，因此既耗时又具有挑战性。高压高温（HPHT）：
高压高温法涉及在受控环境中培育钻石，这种环境复制了形成人造钻石所需的地壳条件。这一过程通常需要 8 到 10 个工作日才能培育出 1 克拉的实验室钻石，而培育出 3 克拉的实验室钻石则需要一个月左右的时间。钻石的生长速度如果超过这些时限，就会破坏晶体结构，导致宝石碎裂。
历史背景：
一个多世纪以来，合成钻石一直是科学界关注的课题。早期的尝试，如亨利-莫桑（Henri Moissan）在 1893 年所做的尝试，包括将木炭加热到极端温度，但这些方法在科学上无法验证。直到近代才开发出可重复的工艺，从而可靠地生产出实验室培育的钻石。
