化学气相沉积（CVD）反应器可根据操作条件、蒸汽物理特性和基底加热方法等不同参数分为多种类型。主要分类包括常压 CVD (APCVD)、低压 CVD (LPCVD)、超高真空 CVD (UHVCVD)、等离子体增强 CVD (PECVD)、金属有机 CVD (MOCVD)，以及激光 CVD (LCVD) 和光化学 CVD (PCVD) 等其他类型。每种类型都具有不同的操作特性和应用，因此适合特定的工业和研究需求。
要点说明：
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按操作条件分类：
- 常压化学气相沉积（APCVD）： 在常压下运行，由于设备要求较简单，适合大规模生产。
- 低压 CVD（LPCVD）： 在较低的压力下运行，可提供更好的薄膜均匀性和阶跃覆盖率，常用于半导体制造。
- 超高真空 CVD（UHVCVD）： 在极低的压力下运行，是污染最小的高纯度薄膜沉积的理想选择。
- 亚大气压 CVD (SACVD)： 在略低于大气压的压力下运行，在薄膜质量和沉积速率方面介于 APCVD 和 LPCVD 之间。
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按蒸汽物理特性分类：
- 气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）： 利用气溶胶输送前驱体，实现复杂材料的沉积。
- 直接液体喷射 CVD（DLICVD）： 将液态前驱体直接注入反应器，从而实现对前驱体输送和成分的精确控制。
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按基底加热分类：
- 热壁 CVD： 整个反应室都被加热，温度分布均匀，但可能导致反应室壁发生不必要的反应。
- 冷壁 CVD： 只加热基底，减少腔壁上不必要的反应，提高薄膜纯度。
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其他专业 CVD 类型：
- 等离子体增强型 CVD (PECVD)： 利用等离子体增强化学反应，可在较低温度下进行沉积，有利于对温度敏感的基底。
- 金属有机 CVD（MOCVD）： 使用金属有机前驱体，通常用于沉积氮化镓和磷化铟等化合物半导体。
- 激光 CVD（LCVD）： 利用激光束对基底进行局部加热，从而实现精确的局部沉积。
- 光化学 CVD（PCVD）： 利用紫外线引发化学反应，适合在低温下沉积薄膜。
- 化学气相渗透（CVI）： 专门用于渗入多孔基底以制造复合材料。
- 化学束外延（CBE）： 化学气相沉积的一种变体，用于半导体层的高精度外延生长。
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其他变体：
- 原子层沉积 (ALD)： 一种精确的化学气相沉积（CVD）形式，薄膜一次沉积一个原子层，具有极佳的厚度控制和一致性。
- 混合物理化学气相沉积（HPCVD）： 结合了物理和化学气相沉积技术，具有独特的材料特性。
每种类型的 CVD 反应器都有其自身的优势和局限性，使其适用于从微电子到先进材料科学的各种特定应用。了解这些分类有助于为特定材料和应用选择合适的 CVD 工艺。
汇总表：
| 分类 | 类型 | 主要特征 |
|---|---|---|
| 按工作条件 | APCVD、LPCVD、UHVCVD、SACVD | 压力水平、薄膜质量和沉积速率各不相同。 |
| 按物理特性分类 | AACVD、DLICVD | 使用气溶胶或液体前驱体进行精确的材料沉积。 |
| 通过基底加热 | 热壁 CVD、冷壁 CVD | 加热方法影响温度均匀性和薄膜纯度。 |
| 专业 CVD 类型 | PECVD、MOCVD、LCVD、PCVD、CVI、CBE | 用于低温沉积或外延等特殊应用的独特技术。 |
| 其他变体 | ALD, HPCVD | 实现原子级精度和混合材料特性的先进方法。 |
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