根据操作条件、蒸汽物理特性和基底加热等不同参数，CVD 反应器可分为多种类型。
主要类型包括常压 CVD (APCVD)、低压 CVD (LPCVD)、超高真空 CVD (UHVCVD)、气溶胶辅助 CVD (AACVD)、直接液体喷射 CVD (DLICVD)、热壁 CVD 和冷壁 CVD。
这些反应器的应用、优缺点各不相同，每种类型都能满足不同行业和应用的特定需求。
7 种主要类型的 CVD 反应器解析
1.按操作条件分类
常压 CVD（APCVD）： 在大气压力下运行，不需要泵，但沉积速率较慢。
低压 CVD（LPCVD）： 在次大气压下运行，使用真空泵将气体抽入沉积室，沉积速率更均匀，气相反应更少。
超高真空 CVD（UHVCVD）： 在非常低的压力（通常低于 10-6 Pa）下运行，以实现高度均匀和清洁的沉积过程。
2.按蒸汽物理特性分类
气溶胶辅助 CVD（AACVD）： 利用气溶胶颗粒辅助沉积过程，可沉积高纵横比的材料。
直接液体喷射 CVD (DLICVD)： 直接将液体前驱体注入反应器，从而实现对沉积过程的精确控制，并能使用更多种类的前驱体。
3.按基底加热分类
热壁 CVD： 涉及基底和反应器壁的加热，确保加热和沉积的均匀性，但由于潜在的污染问题而较少使用。
冷壁 CVD： 只加热基底，降低了污染风险和能耗，但可能导致加热不够均匀。
4.反应器方案
封闭式反应器 CVD： 物种被放置在一个封闭的容器中，反应就在这个封闭的环境中进行。这是最常见的 CVD 反应器类型。
开放式反应器 CVD（流动气体 CVD）： 化学物质被持续注入系统，从而实现更动态、更可控的沉积过程。
5.其他考虑因素
水平和垂直 CVD： 描述反应器配置和气体流向基底的方向，水平管式反应器最为常见。
亚大气压 CVD (SACVD)： 在亚大气压下运行，使用四乙基正硅酸盐（TEOS）和臭氧等特定前驱体，用二氧化硅（SiO2）填充高纵横比结构。
这些分类有助于根据沉积工艺的具体要求（如所需的沉积速率、均匀性和所用前驱体的性质）选择合适的 CVD 反应器。
每种类型的 CVD 反应器都具有独特的优势和挑战，因此适用于半导体和相关行业的不同应用。
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