知识 等离子氮化层有多厚?(解释 5 个关键因素)
作者头像

技术团队 · Kintek Solution

更新于 2个月前

等离子氮化层有多厚?(解释 5 个关键因素)

等离子氮化层的厚度会因处理材料的类型、氮化温度和处理时间等不同因素而变化。

等离子氮化层有多厚?(5 个关键因素解释)

等离子氮化层有多厚?(解释 5 个关键因素)

1.材料类型

被处理材料的类型对等离子氮化层的厚度有很大影响。

2.氮化温度

氮化温度在决定扩散层深度方面起着至关重要的作用。

3.处理时间

在给定温度下,渗氮层深度的增加近似于时间的平方根。这表明处理时间越长,渗氮层渗透得越深。

4.等离子功率

等离子功率或电流密度是影响氮化层厚度的另一个工艺变量。等离子功率是表面积的函数,可影响复合层的形成和厚度。

5.替代工艺:等离子软氮化

等离子渗氮是等离子渗氮的替代工艺,可获得特别厚的复合层。渗氮层的深度会因所用材料、处理温度和处理时间的不同而变化。

总之,等离子氮化层的厚度会因材料类型、氮化温度、处理时间和等离子功率等因素而变化。不过,根据所提供的参考资料,等离子氮化形成的扩散层厚度约为 80 µm。

继续探索,咨询我们的专家

使用以下设备升级您的实验室设备KINTEK 来升级您的实验室设备,实现精确高效的等离子氮化。利用我们的先进技术实现最佳的表面深度和复合层厚度。现在就联系我们 提高您的研究能力,在材料科学领域保持领先地位。

相关产品

射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统

射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统

RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC(类金刚石碳膜)。其波长范围为 3-12um 红外线。

等离子体增强蒸发沉积 PECVD 涂层机

等离子体增强蒸发沉积 PECVD 涂层机

使用 PECVD 涂层设备升级您的涂层工艺。是 LED、功率半导体、MEMS 等领域的理想之选。在低温下沉积高质量的固体薄膜。

氮化钛 (TiN) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

氮化钛 (TiN) 溅射靶材/粉末/金属丝/块/颗粒

您正在为您的实验室寻找经济实惠的氮化钛 (TiN) 材料吗?我们的专长在于生产不同形状和尺寸的定制材料,以满足您的独特需求。我们提供各种规格和尺寸的溅射靶材、涂层等。

氮化铝 (AlN) 陶瓷片

氮化铝 (AlN) 陶瓷片

氮化铝(AlN)具有与硅相容性好的特点。它不仅可用作结构陶瓷的烧结助剂或强化相,而且其性能远远超过氧化铝。

电池用碳纸

电池用碳纸

薄质子交换膜电阻率低;质子传导率高;氢渗透电流密度低;使用寿命长;适用于氢燃料电池和电化学传感器中的电解质分离器。

拉丝模纳米金刚石涂层 HFCVD 设备

拉丝模纳米金刚石涂层 HFCVD 设备

纳米金刚石复合涂层拉丝模以硬质合金(WC-Co)为基体,采用化学气相法(简称 CVD 法)在模具内孔表面涂覆传统金刚石和纳米金刚石复合涂层。

CVD 金刚石涂层

CVD 金刚石涂层

CVD 金刚石涂层:用于切割工具、摩擦和声学应用的卓越导热性、晶体质量和附着力

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉设备

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉设备

介绍我们的倾斜旋转式 PECVD 炉,用于精确的薄膜沉积。可享受自动匹配源、PID 可编程温度控制和高精度 MFC 质量流量计控制。内置安全功能让您高枕无忧。

薄层光谱电解槽

薄层光谱电解槽

了解我们的薄层光谱电解槽的优势。耐腐蚀、规格齐全、可根据您的需求定制。

氮化硅(SiNi)陶瓷薄板精密加工陶瓷

氮化硅(SiNi)陶瓷薄板精密加工陶瓷

氮化硅板在高温下性能均匀,是冶金工业中常用的陶瓷材料。

电子束蒸发涂层导电氮化硼坩埚(BN 坩埚)

电子束蒸发涂层导电氮化硼坩埚(BN 坩埚)

用于电子束蒸发涂层的高纯度、光滑的导电氮化硼坩埚,具有高温和热循环性能。

真空热压炉

真空热压炉

了解真空热压炉的优势!在高温高压下生产致密难熔金属和化合物、陶瓷以及复合材料。

氮化硼 (BN) 陶瓷板

氮化硼 (BN) 陶瓷板

氮化硼(BN)陶瓷板不使用铝水润湿,可为直接接触熔融铝、镁、锌合金及其熔渣的材料表面提供全面保护。

氮化硼 (BN) 陶瓷部件

氮化硼 (BN) 陶瓷部件

氮化硼(BN)是一种具有高熔点、高硬度、高导热性和高电阻率的化合物。其晶体结构与石墨烯相似,比金刚石更坚硬。


留下您的留言