化学气相沉积（CVD）是一种多用途技术，用于各行各业在基底上沉积薄膜。了解不同类型的 CVD 反应器可帮助您根据具体需求选择合适的反应器。
水平和垂直 CVD 反应器
水平和垂直 CVD 反应器的区别在于其配置和气体流向基底的方向。
水平管式反应器最为常见。在这些反应器中，气体水平流过基底。
垂直反应器不太常见，但提供了不同的气体流动动态。在垂直流有利于均匀性或其他工艺要求的特定应用中，垂直反应器具有优势。
低压和常压 CVD（LPCVD 和 APCVD）
低压 CVD（LPCVD）在减压条件下运行。它通常使用真空泵将气体抽入沉积室。这种设置提高了沉积速率的均匀性，减少了气相反应，从而使薄膜性能更可控、更稳定。
常压 CVD (APCVD) 在常压下运行，通常不需要泵。虽然设置更简单，但与 LPCVD 相比，它可能会导致沉积速率更慢、薄膜更不均匀。
专业 CVD 工艺
金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 主要用于沉积金属及其化合物薄膜。它涉及使用金属有机前驱体，这些前驱体在基底上蒸发和分解，形成所需的薄膜。
等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）利用等离子体提高前驱体的反应活性。这样可以降低沉积温度，更好地控制薄膜特性。
激光化学气相沉积（LCVD）使用激光局部加热基底并诱导化学反应。这样就能精确控制沉积面积和厚度。
光化学气相沉积（PCVD）是利用光引发化学反应。这对于沉积在热或等离子条件下可能降解的敏感材料特别有用。
化学气相渗透（CVI）用于将基质材料渗透到多孔材料中，从而增强其机械和热性能。
化学束外延（CBE）结合了分子束外延（MBE）和化学气相沉积（CVD）的特点。它使用一束反应气体射向加热的基底来生长外延层。
反应器方案
CVD 工艺可采用封闭式或开放式反应器方案。
封闭式反应器更为常见。在这些反应器中，反应物被控制在一个封闭的系统中，从而可以更好地控制环境。
开放式反应器或流动气体化学气相沉积会不断将化学品引入系统。这对于某些类型的反应或材料来说是有利的。
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