溅射沉积的缺点可归纳如下：
1) 沉积速率低：与热蒸发等其他沉积方法相比，溅射沉积速率通常较低。这意味着需要更长的时间才能沉积出所需厚度的薄膜。
2) 沉积不均匀：在许多配置中，沉积流量的分布是不均匀的。这就需要移动夹具以获得厚度均匀的薄膜。溅射沉积不适合沉积厚度均匀的大面积薄膜。
3) 靶材昂贵，材料利用率低：溅射靶材通常价格昂贵，而且沉积过程中的材料使用效率可能不高。
4) 发热：溅射过程中入射到靶材上的大部分能量都会变成热量，必须将其带走。这就需要使用冷却系统，这会降低生产速度，增加能源成本。
5) 薄膜污染：在某些情况下，等离子体中的气体污染物会被 "激活"，从而导致薄膜污染。这比真空蒸发更容易造成问题。
6) 反应溅射沉积的控制：在反应溅射沉积过程中，必须仔细控制气体成分，以防止溅射靶中毒。
7)难以与升华工艺相结合：溅射的扩散传输特性使其很难与用于构建薄膜的升离工艺相结合。这可能导致污染问题。
8) 基质中的杂质：与蒸发沉积法相比，溅射法更容易在基底中引入杂质，因为它的真空度较低。
9)难以精确控制薄膜厚度：虽然溅射法可以实现无厚度限制的高沉积速率，但无法精确控制薄膜厚度。
10) 有机固体降解：某些材料（如有机固体）在溅射过程中很容易因离子轰击而降解。
总的来说，溅射沉积有几个优点，包括更好的薄膜致密性和更容易控制合金成分，但它也有明显的缺点，如沉积速率低、沉积不均匀和薄膜污染。在为特定应用选择沉积方法时，应考虑这些缺点。
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