知识 溅射的 6 个步骤是什么?
作者头像

技术团队 · Kintek Solution

更新于 3天前

溅射的 6 个步骤是什么?

溅射是一种用于制造薄膜的技术,方法是将材料从目标喷射出来,然后沉积到基底上。

溅射的 6 个步骤

溅射的 6 个步骤是什么?

1.沉积室抽真空

工艺开始时会将沉积室抽真空至非常低的压力,通常约为 10^-6 托。

这一步骤对于消除任何污染物和降低背景气体的分压至关重要。

2.引入溅射气体

达到所需的真空度后,将氩气或氙气等惰性气体引入腔室。

气体的选择取决于溅射过程和沉积材料的具体要求。

3.等离子体的产生

在腔室的两个电极之间施加电压以产生辉光放电,辉光放电是等离子体的一种。

这种等离子体对溅射气体的电离至关重要。

4.气体原子的电离

在产生的等离子体中,自由电子与溅射气体的原子碰撞,使它们失去电子,变成带正电荷的离子。

这一电离过程对于离子的后续加速至关重要。

5.离子向目标加速

在外加电压的作用下,这些正离子被加速冲向阴极(带负电的电极),也就是靶材料。

离子的动能足以将原子或分子从目标材料中分离出来。

6.溅射材料的沉积

从目标材料中脱落的材料形成蒸汽流,蒸汽流穿过腔室,沉积到基底上,形成薄膜或涂层。

这一沉积过程一直持续到达到所需的厚度或覆盖率为止。

其他注意事项

沉积前准备

基片安装在负载锁定室的支架上,该室也保持在真空条件下。

这种设置可确保基片在进入沉积室时不受污染物的影响。

磁控溅射

在某些溅射系统中,磁铁被放置在目标材料的后面,以限制溅射气体中的电子,从而增强电离过程并提高溅射效率。

离子束溅射

这种方法是将离子电子束直接聚焦在靶材上,将材料溅射到基底上,从而更精确地控制沉积过程。

溅射过程的每一步都经过精心控制,以确保沉积薄膜的质量和性能。

继续探索,咨询我们的专家

使用 KINTEK SOLUTION 的尖端溅射系统,体验薄膜制造的精确性和可靠性。

从沉积室抽真空到沉积溅射材料,我们最先进的设备对溅射过程的每一步都进行了细致的控制,以确保获得最佳的薄膜质量和性能。

相信 KINTEK SOLUTION 能满足您所有的薄膜沉积需求,让创新与效率完美结合。了解 KINTEK 的与众不同之处,立即提升您的薄膜应用!

相关产品

等离子体增强蒸发沉积 PECVD 涂层机

等离子体增强蒸发沉积 PECVD 涂层机

使用 PECVD 涂层设备升级您的涂层工艺。是 LED、功率半导体、MEMS 等领域的理想之选。在低温下沉积高质量的固体薄膜。

火花等离子烧结炉 SPS 炉

火花等离子烧结炉 SPS 炉

了解火花等离子烧结炉在快速、低温材料制备方面的优势。加热均匀、成本低且环保。

射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统

射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统

RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC(类金刚石碳膜)。其波长范围为 3-12um 红外线。

真空感应熔化炉 电弧熔化炉

真空感应熔化炉 电弧熔化炉

利用我们的真空感应熔炼炉获得精确的合金成分。是航空航天、核能和电子工业的理想之选。立即订购,有效熔炼和铸造金属与合金。

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉设备

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉设备

介绍我们的倾斜旋转式 PECVD 炉,用于精确的薄膜沉积。可享受自动匹配源、PID 可编程温度控制和高精度 MFC 质量流量计控制。内置安全功能让您高枕无忧。

真空管热压炉

真空管热压炉

利用真空管式热压炉降低成型压力并缩短烧结时间,适用于高密度、细粒度材料。是难熔金属的理想选择。

电子枪光束坩埚

电子枪光束坩埚

在电子枪光束蒸发中,坩埚是一种容器或源支架,用于盛放和蒸发要沉积到基底上的材料。

拉丝模纳米金刚石涂层 HFCVD 设备

拉丝模纳米金刚石涂层 HFCVD 设备

纳米金刚石复合涂层拉丝模以硬质合金(WC-Co)为基体,采用化学气相法(简称 CVD 法)在模具内孔表面涂覆传统金刚石和纳米金刚石复合涂层。

真空压力烧结炉

真空压力烧结炉

真空压力烧结炉专为金属和陶瓷烧结中的高温热压应用而设计。其先进的功能可确保精确的温度控制、可靠的压力维持以及无缝操作的坚固设计。


留下您的留言