纳米薄膜的制备涉及两种主要技术：化学气相沉积 (CVD) 和物理气相沉积 (PVD)。
2 纳米薄膜制备技术：化学气相沉积和物理气相沉积
化学气相沉积（CVD）
CVD 是一种用于制造高纯度、高效固体薄膜的方法。
在此过程中，基底被置于反应器中，暴露在挥发性气体中。
通过所用气体与基底之间的化学反应，在基底表面形成固体层。
CVD 可以生产高纯度的单晶或多晶甚至无定形薄膜。
它可以在低温下合成所需纯度的纯材料和复杂材料。
薄膜的化学和物理特性可通过控制温度、压力、气体流速和气体浓度等参数进行调节。
物理气相沉积（PVD）
物理气相沉积是通过在基底表面冷凝从源（目标材料）释放出的蒸发材料来生产薄膜。
PVD 的子方法包括溅射和蒸发。
PVD 技术广泛用于在合适的基底上制造薄（亚微米到纳米）或厚（大于 5 微米）的固体薄膜。
常见的 PVD 技术包括溅射、电泳沉积、电子束 PVD（e-beam-PVD）、脉冲激光沉积（PLD）、原子层沉积（ALD）和分子束外延技术。
这些方法对于实现沉积薄膜的高纯度和低缺陷水平至关重要。
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