石墨烯的常压化学气相沉积（APCVD）是一种在常压下直接在基底上合成高质量石墨烯薄膜的方法。
这一过程包括在高温下在金属催化剂上分解碳氢化合物气体，从而形成石墨烯层。
5 个要点说明
1.工艺概述
在 APCVD 中，铜、钴或镍等金属基板被置于反应腔中。
甲烷或乙烯等碳氢化合物气体被引入反应室。
反应室被加热到通常为 800 至 1050 °C 的温度，使碳氢化合物气体分解成碳原子。
然后，这些碳原子与金属基底表面结合，形成石墨烯层。
2.APCVD 的优点
APCVD 可以大面积生产石墨烯薄膜，这对许多工业应用至关重要。
通过调整气体流速、温度和时间等工艺参数，可以控制石墨烯层的厚度和质量。
气相化学气相沉积可以在基底上直接合成石墨烯，这对电子和光电等特定应用非常有利。
3.金属基底的作用
金属基底可作为催化剂，降低碳氢化合物气体分解的能量障碍。
它们还会影响石墨烯的沉积机制，影响其质量和均匀性。
4.物理条件和载气
APCVD 中的大气压力有助于保持稳定的反应环境，但为了获得更好的均匀性和减少不必要的反应，通常选择较低的压力。
氢气和氩气等载气用于增强表面反应和提高石墨烯沉积速度。
5.应用和前景
APCVD 生长的石墨烯应用广泛，包括电子晶体管、透明导体和腐蚀涂层。
APCVD 技术的发展仍在继续，重点是提高石墨烯生产的质量和可扩展性，以实现更广泛的工业应用。
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