化学气相沉积（CVD）是一种用于生产高纯度、高性能固体材料（通常为薄膜形式）的化学工艺。
该工艺将基底暴露于一种或多种挥发性前驱体中。
这些前驱体在基底表面发生反应和/或分解，生成所需的沉积物。
副产品通常通过反应室的气流去除。
关于化学气相沉积的 4 个要点
1.原理
化学气相沉积利用气态或气态物质在气相或气固界面上发生反应。
从而在基底上形成固体沉积物。
2.2. 工艺
CVD 过程包括三个主要阶段：
- 反应气体扩散到基底表面。
- 反应气体吸附到基底表面。
- 在基底表面发生化学反应，形成固体沉积物。
副产品从基底表面释放出来。
常见的反应包括热分解、化学合成和化学传输。
3.特点
CVD 可提供多种沉积物，包括金属膜、非金属膜、多组分合金膜以及陶瓷或化合物层。
该工艺可在常压或低真空条件下进行。
这样就能在形状复杂的表面上形成均匀的涂层。
CVD 涂层的特点是纯度高、致密性好、残余应力低和结晶性好。
4.应用和变化
CVD 可用于生产多种不同成分和形式的材料，如碳化物、氮化物、氧氮化物和各种形式的碳。
该工艺适用于不同的微观结构，如单晶、多晶和非晶。
CVD 还可用于生产应用于生物医学设备、电路板和耐用涂层的聚合物。
该工艺分为常压 CVD、低压 CVD 和超高真空 CVD，还可根据基底加热、材料特性和使用的等离子类型进行分类。
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