说到薄膜沉积，通常会提到两种方法：外延和原子层沉积（ALD）。这两种方法具有不同的机制和目的。让我们来分析一下它们的主要区别。
外延和原子层沉积的 4 个主要区别
1.薄膜生长机制
外延:这一过程是在晶体基底上生长晶体薄膜。薄膜将其晶格与基底对齐，保持特定的取向。这对电子特性至关重要，通常通过分子束外延（MBE）或化学气相沉积（CVD）等方法实现。
ALD:ALD 的工作原理与此不同。它通过连续的、自我限制的化学反应一次生长一个原子层。每个循环包括将基底暴露于前驱体气体中，形成单层，净化腔室，然后引入第二种前驱体与第一单层发生反应。如此循环往复，最终形成薄膜。
2.控制和精度
外延:虽然外延对晶体结构具有出色的控制能力，但它可能无法提供与 ALD 相同的厚度控制水平，尤其是在原子尺度上。这里的重点是保持晶体的完整性和取向。
ALD:ALD 擅长精确控制薄膜厚度，甚至达到原子级。在半导体制造和纳米技术等需要极薄、均匀薄膜的应用中，这种精度至关重要。
3.应用和灵活性
外延:这种方法通常用于半导体制造，因为薄膜的电子特性在很大程度上取决于其晶体结构。就可沉积的材料和可使用的基底类型而言，这种方法的灵活性较低。
ALD:ALD 的用途更为广泛。它可以沉积多种材料，并符合复杂的高宽比结构。它可用于包括电子、光学和能源应用在内的各个领域，在这些领域中，保形涂层和精确的厚度控制是必不可少的。
4.目的和重点
外延:外延的重点是保持晶体结构和取向。
ALD:ALD 的重点是实现精确的原子级厚度控制和出色的一致性。
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