说到薄膜沉积技术，离子束溅射和磁控溅射是两种常用的方法。
4 个主要区别说明
1.等离子体的存在
离子束溅射：
- 离子束溅射不涉及基底和靶材之间的等离子体。
- 由于不存在等离子体，因此适合在敏感基底上沉积材料，而不会有等离子体损坏的风险。
磁控溅射：
- 磁控溅射系统的电离效率更高，因此等离子体密度更大。
- 这种更稠密的等离子体增加了对目标的离子轰击，从而提高了溅射率和沉积率。
2.溅射气体包容
离子束溅射：
- 缺乏等离子体通常会降低沉积物中的溅射气体含量。
- 这使得涂层更加纯净。
磁控溅射：
- 较密集的等离子体有时会导致溅射气体含量较高。
- 不过，为了确保涂层的纯度，通常会对这种情况进行控制。
3.靶材和基材使用的多样性
离子束溅射：
- 在传统的离子束溅射中，基底和靶之间没有偏压。
- 这就允许使用导电和非导电靶材和基材，从而扩大了其适用范围。
磁控溅射：
- 磁控溅射主要有两种配置方式：平衡磁控溅射（BM）和非平衡磁控溅射（UBM）。
- 每种配置提供不同的等离子体分布，影响沉积的均匀性和速度。
4.参数的独立控制
离子束溅射：
- 离子束溅射具有在大范围内独立控制离子能量、通量、种类和入射角的独特优势。
- 这就提供了对沉积过程的精确控制。
磁控溅射：
- 磁控溅射在较低的腔室压力（10^-3 mbar，而 10^-2 mbar）和较低的偏置电压（~ -500 V，而 -2 至 -3 kV）下运行。
- 这对于某些应用来说是有利的。
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