说到化学气相沉积（CVD），两种常见的方法是 LPCVD 和 PECVD。
这两种方法有很大的不同，会影响它们的应用和所生产薄膜的质量。
LPCVD 和 PECVD 的 5 个主要区别
1.沉积温度
LPCVD 通常在 500 至 1100°C 的较高温度下运行。
而 PECVD 的工作温度较低，在 200 至 400°C 之间。
PECVD 的温度较低，非常适合热循环问题或材料限制因素的应用。
2.薄膜质量
与 PECVD 薄膜相比，LPCVD 薄膜的质量通常更高。
LPCVD 薄膜的使用寿命更长，沉积率更高。
它们几乎不含氢，更耐针孔。
PECVD 薄膜的质量较低，原因是沉积温度较低，氢含量较高，可能会产生应力并影响设备性能。
3.薄膜类型
LPCVD 主要使用硅基薄膜。
它通常沉积氮化硅薄膜，氮化硅通常用作应力剂和蚀刻阻挡剂。
PECVD 可生产硅基和钨基薄膜。
PECVD 以生产氧化硅薄膜而著称。
4.工艺
LPCVD 使用热壁管反应器环境为反应物提供能量。
PECVD 使用等离子体为反应物提供能量。
PECVD 中的等离子体使沉积过程更可控，温度更低。
5.应用
LPCVD 通常用于外延硅沉积。
然而，与 PECVD 相比，其能力有限。
PECVD 的用途更为广泛，可用于薄膜沉积、阻挡层、钝化和绝缘层等多种应用。
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