说到沉积薄膜，有两种常见的方法，即 LPCVD（低压化学气相沉积）和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）。这些技术各有特点，适用于不同的应用。以下是 LPCVD 和 PECVD 氧化物的主要区别。
LPCVD 和 PECVD 氧化物的 5 个主要区别
1.温度
LPCVD 的工作温度较高，通常在 700°C 以上。
而 PECVD 的工作温度较低，在 200 至 400°C 之间。
当由于热循环问题或材料限制而需要较低温度加工时，PECVD 的较低温度是有益的。
2.基底
LPCVD 需要硅基底。
PECVD 可使用钨基底。
LPCVD 薄膜直接沉积在硅基底上。
PECVD 薄膜可沉积在包括金属在内的各种基底上。
3.薄膜质量
与 PECVD 薄膜相比，LPCVD 薄膜的质量通常更高。
LPCVD 薄膜的氢含量更低，针孔更少，因此薄膜的完整性和性能更好。
由于沉积温度较低，PECVD 薄膜的氢含量可能较高，质量可能较低。
4.沉积速率
LPCVD 的沉积速率通常高于 PECVD。
LPCVD 可以更快的速度沉积薄膜，从而实现更快的生产。
PECVD 虽然速度较慢，但在沉积速率控制方面具有更大的灵活性。
5.工艺灵活性
PECVD 在工艺参数和材料方面更具灵活性。
它的应用范围更广，可沉积各种类型的薄膜，包括氧化硅。
LPCVD 更常用于特定应用，如外延硅沉积。
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