PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的速度非常快，沉积速率为 1 到 10 nm/s，甚至更高，明显快于 PVD（物理气相沉积）等传统真空技术。例如，在 400°C 温度条件下使用 PECVD 技术沉积氮化硅 (Si3N4) 的速度为 130Å/秒，而在 800°C 温度条件下使用 LPCVD（低压化学气相沉积）技术沉积的速度为 48Å/分钟，大约慢 160 倍。
PECVD 通过利用等离子体为化学反应的发生提供必要的能量，而不是仅仅依靠加热基底来实现如此高的沉积速率。等离子体激活真空室中的前驱体气体，可促进薄膜在较低温度下形成，通常温度范围为室温至约 350°C。在 PECVD 中使用等离子体不仅能加快沉积过程，还能在较低温度下对基底进行镀膜，这对不能承受高热应力的材料非常有利。
PECVD 的高沉积率使其成为需要快速、高效薄膜沉积应用的首选，尤其是在处理对高温敏感的材料或需要快速生产周期时。这种沉积效率是 PECVD 作为一种制造技术的可靠性和成本效益的关键因素。
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