等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 以其显著的高速度而闻名。
PECVD 的沉积速度为 1 到 10 nm/s，甚至更高。
这比物理气相沉积 (PVD) 等传统真空技术快得多。
例如，在 400°C 温度下使用 PECVD 技术沉积氮化硅 (Si3N4) 的速度为 130Å/sec 。
相比之下，800°C 下的低压化学气相沉积 (LPCVD) 的沉积速率为 48Å/min ，约慢 160 倍。
5 重要启示
1.等离子活化实现高沉积速率
PECVD 利用等离子体为化学反应提供必要的能量，从而实现高沉积速率。
在真空室中对前驱气体进行等离子活化可促进薄膜在较低温度下形成。
2.低温沉积
在 PECVD 中使用等离子体可在较低温度下对基底进行镀膜，通常温度范围为室温至 350°C 左右。
这对无法承受高热应力的材料非常有利。
3.薄膜沉积效率
PECVD 的高沉积率使其成为需要快速、高效薄膜沉积应用的首选。
在处理对高温敏感的材料或需要快速生产周期时，这种效率尤为重要。
4.可靠性和成本效益
沉积效率是 PECVD 作为一种制造技术的可靠性和成本效益的关键因素。
5.在各行各业的应用
PECVD 广泛应用于对薄膜沉积速度和效率要求极高的行业。
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