知识 射频和直流磁控溅射有什么区别?(4 个主要区别)
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技术团队 · Kintek Solution

更新于 2个月前

射频和直流磁控溅射有什么区别?(4 个主要区别)

磁控溅射主要有两种类型:射频和直流。

这两种方法有一些差异,会影响它们在不同应用中的使用。

了解这些差异可以帮助您选择适合自己需要的方法。

射频和直流磁控溅射有什么区别?(4 个主要区别)

射频和直流磁控溅射有什么区别?(4 个主要区别)

1.电源

  • 直流溅射 使用直流电作为电源。

  • 射频溅射 使用高压交流电源产生无线电波。

2.电压要求

  • 直流溅射 需要 2,000-5,000 伏特的电压。

  • 射频溅射 需要 1,012 伏特或更高的电压才能达到相同的沉积率。

3.腔室压力

  • 直流溅射 的腔室压力约为 100 mTorr。

  • 射频溅射 可将腔室压力大大降低到 15 mTorr 以下。

4.目标材料的适用性

  • 直流溅射 适用于导电材料。

  • 射频溅射 既适用于导电溅射材料,也适用于非导电溅射材料,因此特别适用于绝缘材料。

多层结构沉积

磁控溅射可在沉积过程中通过使用多个靶材或在不同靶材之间旋转基底来实现多层结构。

通过这种技术,可为特定应用(如光学涂层或先进电子设备)制造具有定制特性的复杂多层薄膜。

靶材的选择

靶材的选择会影响沉积薄膜的性能。

  • 直流溅射 应用广泛,对大量基底材料非常有效。

  • 射频溅射 成本较高,溅射产量较低,因此更适用于较小的基底尺寸。

磁控溅射中的磁场

在磁控溅射中,磁场的使用有助于控制来自磁控溅射源的带电离子粒子的速度和方向。

  • 直流磁控溅射 只适用于导电材料,通常在较高压力下进行。

  • 射频磁控溅射 可以在较低的压力下进行,因为真空室中电离粒子的比例很高。

总结

射频和直流磁控溅射的主要区别在于电源、电压要求、腔室压力和目标材料的适用性。

  • 射频溅射 特别适用于绝缘材料,可在较低的腔室压力下进行,并同时适用于导电和非导电材料。

  • 直流溅射 应用广泛,对大量基片有效,主要适用于导电材料。

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