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热化学气相沉积（TCVD）是一种用于薄膜生长的方法，利用高温激活化学反应。该工艺是在气相中发生化学反应，在加热的表面沉积固体薄膜。TCVD 包含多种技术，如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积和氢化物化学气相沉积。

根据化学反应的形式，化学气相沉积工艺可分为不同类型：

1. 化学传输法:在这种方法中，薄膜材料与源区域的另一种物质发生反应，产生气体。然后，这种气体被输送到生长区域，在那里发生热反应，形成所需的材料。正向反应发生在传输过程中，反向反应发生在晶体生长过程中。

2. 热解法:这种方法是将含有薄膜元素的挥发性物质输送到生长区，通过热分解反应生成所需的物质。这种方法的生长温度通常在 1000 到 1050 摄氏度之间。

TCVD 的一般步骤包括

• 挥发性化合物的蒸发:首先蒸发要沉积的物质，使其变成蒸汽。
• 热分解或化学反应:蒸汽经过热分解变成原子和分子，或与基底上的其他蒸汽、液体或气体发生反应。
• 非挥发性反应产物的沉积:反应的非挥发性产物随后沉积到基底上。

这一过程通常需要几托尔到大气压以上的压力和相对较高的温度（约 1000°C）。

总之，热化学气相沉积是一种利用高温化学反应将材料沉积到基底上的重要薄膜制造技术。该工艺用途广泛，可通过调整反应类型和使用条件来满足各种特定需求。

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