热化学气相沉积（TCVD）是一种用于生长薄膜的方法。
它利用高温激活化学反应。
该工艺是通过气相中的化学反应将固体薄膜沉积在加热的表面上。
热化学气相沉积包括各种技术，如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积和氢化物化学气相沉积。
什么是热化学气相沉积工艺？(4 种主要方法详解）
1.化学传输法
在这种方法中，薄膜材料与源区域的另一种物质发生反应，产生一种气体。
然后，这种气体被输送到生长区域，在那里发生热反应，形成所需的材料。
正向反应发生在传输过程中，反向反应发生在晶体生长过程中。
2.热解法
这种方法是将含有薄膜元素的挥发性物质输送到生长区域。
它通过热分解反应生成所需的物质。
这种方法的生长温度通常在 1000 到 1050 摄氏度之间。
TCVD 的一般步骤
挥发性化合物的蒸发
首先蒸发要沉积的物质，使其变成蒸汽。
热分解或化学反应
蒸汽经过热分解变成原子和分子，或者与基底上的其他蒸汽、液体或气体发生反应。
非挥发性反应产物的沉积
反应的非挥发性产物沉积到基底上。
工艺条件
这种工艺通常需要几托到高于大气压的压力。
它还需要相对较高的温度，约 1000°C。
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