CVD 石墨烯的厚度通常是单原子层，约 0.34 纳米。这是因为化学气相沉积石墨烯是以六方晶格结构排列的单层碳原子形式产生的。化学气相沉积（CVD）工艺可在各种基底上生长这种材料，其中铜对生产大面积、均匀的单层石墨烯薄膜尤为有效。
化学气相沉积石墨烯的单层特性对其独特性能至关重要，例如高导电性、高热导率、柔韧性和光学透明性。CVD 工艺是将气相中的碳原子沉积到基底上，形成连续的薄膜。石墨烯层的均匀性和厚度对其在电子和透明导电薄膜等各种应用中的性能至关重要。
在某些情况下，CVD 石墨烯可能并不完全均匀，从而导致单层和少层区域（多层石墨烯）的混合。不过，CVD 技术的进步，如铜基底的使用和冷却速度的精确控制，已经改善了均匀单层石墨烯的生产。例如，2009 年报告的一项研究表明，在铜箔上制备的大面积石墨烯薄膜大多为单层，双层或三层石墨烯的比例不到 5%。
CVD 石墨烯的厚度对其电气性能也很重要。例如，未掺杂石墨烯的薄层电阻约为 6 kΩ，单层透明度为 98%。在铜上通过 CVD 法合成时，片层电阻可低至 350 Ω/sq，透明度为 90%，这表明 CVD 石墨烯在透明导电薄膜中的应用潜力巨大。石墨烯薄膜的厚度直接影响其薄层电阻，每增加一层都会降低电阻。
总之，CVD 石墨烯通常只有一个原子层厚，约 0.34 纳米，其生产需要对 CVD 过程进行仔细控制，以确保均匀性和质量。CVD 石墨烯的厚度对其在各种应用中的特性和性能至关重要，CVD 技术的进步不断提高材料的一致性和质量。
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