PECVD 或等离子体增强化学气相沉积是半导体行业广泛使用的一种技术。
它用于在相对较低的温度下沉积薄膜。
PECVD 的典型工艺压力范围为 0.01 至 10 托。
这大大低于大气压力，大气压力约为 760 托。
这种低压环境对于实现均匀的薄膜沉积和最大限度地减少散射效应至关重要。
PECVD 使用的温度较低，通常介于室温和 350°C 之间，有助于减少对基底的损坏。
这也允许沉积多种材料。
5 个要点详解：您需要了解的 PECVD 工艺压力
1.PECVD 的典型压力范围
PECVD 系统通常在 0.01 至 10 托的压力范围内运行。
这明显低于大气压，大气压约为 760 托。
低压有助于减少散射和促进沉积薄膜的均匀性。
2.PECVD 的温度范围
PECVD 的沉积过程在相对较低的温度下进行，通常在室温和 350°C 之间。
这种低温操作的优势在于可最大限度地减少对基底的损坏。
它还允许沉积多种材料。
3.PECVD 低压的优势
PECVD 系统中的低压有助于减少前驱体气体的散射。
这使得薄膜沉积更加均匀。
这种均匀性对于各种应用中沉积薄膜的性能和可靠性至关重要。
4.PECVD 中的等离子活化
PECVD 利用等离子体激活前驱体气体。
这将促进化学反应，从而在基底上形成薄膜。
等离子体通常使用高频射频电源产生，在工艺气体中形成辉光放电。
5.与 LPCVD 的比较
低压化学气相沉积（LPCVD）的工作压力范围相似，但温度较高，而 PECVD 与之不同，具有沉积温度较低的优势。
这使得 PECVD 适用于更广泛的基底和材料。
PECVD 的应用
在低压和低温下沉积薄膜的能力使 PECVD 适用于半导体行业的各种应用。
这包括电介质层、钝化层和其他功能薄膜的沉积。
总之，PECVD 的典型工艺压力范围为 0.01 至 10 托。
沉积在相对较低的温度下进行。
这种低压和低温的组合可实现均匀的薄膜沉积，最大限度地减少对基底的损坏，并可沉积多种材料。
与 LPCVD 等其他沉积技术相比，PECVD 的优势使其成为许多半导体制造工艺的首选。
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