要通过 PECVD 形成二氧化硅和氮化硅薄膜，该工艺主要利用 硅烷 ($SiH_4$) 作为硅源，并搭配不同的反应性气体。
对于 二氧化硅 ($SiO_2$)，硅烷通常与 氧气 ($O_2$) 或 一氧化二氮 ($N_2O$) 结合；或者，TEOS（原硅酸四乙酯）可以与氧等离子体一起使用。对于 氮化硅 ($SiN_x$)，标准的前驱体组合是 硅烷 和 氨 ($NH_3$)。
核心要点 薄膜的具体化学成分取决于所选的氧化剂或氮化剂与硅前驱体的组合。成功的沉积依赖于在低压下管理这些气体组合，以防止气相反应并确保均匀的薄膜质量。
二氧化硅 ($SiO_2$) 的前驱体
基于硅烷的方法
沉积二氧化硅最常用的方法是使 硅烷 ($SiH_4$) 与氧化剂反应。
使用的主要氧化剂是 氧气 ($O_2$)。
根据补充数据，一氧化二氮 ($N_2O$) 通常用作替代的氧前驱体，以控制特定的薄膜性能。
液体源替代方案 (TEOS)
对于特定应用，工程师通常使用 原硅酸四乙酯 (TEOS) 作为硅源。
该前驱体与 氧等离子体 结合引入腔室，以沉积氧化物薄膜。
与硅烷相比，当需要独特的台阶覆盖性或处理性能时，通常会选择 TEOS。
替代硅前驱体
虽然硅烷是标准品，但偶尔也会使用其他硅前驱体。
二氯硅烷 可替代硅烷与氧前驱体结合使用，以形成二氧化硅。
氮化硅 ($SiN_x$) 的前驱体
标准氮化物配方
为了形成氮化硅，该工艺用氮源代替氧化剂。
主要组合是 硅烷 ($SiH_4$) 和 氨 ($NH_3$)。
该反应通常在低沉积温度下进行，一般低于 400°C。
反应物变化
虽然氨是主要的氮化剂，但 氮气 ($N_2$) 也可能参与反应化学。
对于氮氧化硅等复杂薄膜，则使用硅烷、一氧化二氮、氨和氮气的混合物。
理解工艺变量和权衡
管理气相反应
PECVD 的主要挑战是防止化学物质在到达晶圆表面之前发生反应（不良的气相反应）。
为了缓解这种情况，通常使用 氩气 (Ar) 作为载气和稀释剂。
氩气可稳定工艺并有助于高效传输反应物。
压力要求
这些反应不是在大气压下进行的。
沉积需要低压，通常范围为 几百毫托到几托。
控制成分
薄膜的最终化学计量（成分）对气体流比高度敏感。
例如，在保持其他速率不变的情况下，调整 一氧化二氮 的流速可以调整薄膜中的氮氧 (N:O) 比。
为您的目标做出正确选择
- 如果您的主要重点是标准的 SiO2 沉积：使用 硅烷和氧气 或 一氧化二氮，这是一个经过验证且广泛建立的工艺。
- 如果您的主要重点是标准的 SiNx 沉积：使用 硅烷和氨，这允许在低温（低于 400°C）下进行加工。
- 如果您的主要重点是最大限度地减少预沉积反应：将 氩气 集成作为载气，以稀释反应物并防止气相成核。
根据您的热预算和器件结构所需的特定薄膜成分来选择您的前驱体组合。
摘要表：
| 薄膜类型 | 硅源 | 反应物 / 氧化剂 / 氮化剂 |
|---|---|---|
| 二氧化硅 ($SiO_2$) | 硅烷 ($SiH_4$) | 氧气 ($O_2$) 或 一氧化二氮 ($N_2O$) |
| 二氧化硅 ($SiO_2$) | TEOS | 氧等离子体 |
| 氮化硅 ($SiN_x$) | 硅烷 ($SiH_4$) | 氨 ($NH_3$) 或 氮气 ($N_2$) |
| 氮氧化硅 | 硅烷 ($SiH_4$) | $N_2O$、$NH_3$ 和 $N_2$ 混合物 |
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