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沉积 LPCVD 氮化硅（SiN）的温度通常在 700 至 800°C 之间。选择这一温度范围是为了确保形成致密、无定形和化学性质稳定的氮化硅层，这对各种半导体应用至关重要。

说明：

1. 温度范围:使用 LPCVD（低压化学气相沉积）沉积氮化硅的温度在 700 至 800°C 之间。这一温度范围至关重要，因为它允许二氯硅烷（SiCl2H2）和氨（NH3）发生适当反应，形成氮化硅（Si3N4）以及盐酸（HCl）和氢气（H2）等副产品。

2. 反应化学:沉积过程中涉及的化学反应如下：

3. [\text{SiCl}_2\text{H}_2 + 4\text{NH}_3 \rightarrow \text{Si}_3\text{N}_4 + 6\text{HCl}+ 2\text{H}_2

4. ]这种反应需要高温才能有效进行，从而确保沉积出高质量的氮化硅层。

沉积薄膜的质量

:在这些温度下形成的氮化硅层是无定形的、致密的，并具有良好的化学稳定性和热稳定性。这些特性对其在半导体制造中的应用至关重要，可用作选择性氧化的掩膜、蚀刻工艺的硬掩膜以及电容器的电介质。