在沉积 LPCVD 氮化硅（SiN）时，温度起着至关重要的作用。
LPCVD 氮化硅在什么温度下沉积？(解释 4 个关键因素）
1.温度范围
使用 LPCVD（低压化学气相沉积）沉积氮化硅的温度在 700 至 800°C 之间。
这一温度范围至关重要，因为它允许二氯硅烷（SiCl2H2）和氨（NH3）发生适当反应，形成氮化硅（Si3N4）以及盐酸（HCl）和氢气（H2）等副产品。
2.反应化学
沉积过程中涉及的化学反应如下：
[\text{SiCl}_2\text{H}_2 + 4\text{NH}_3 \rightarrow \text{Si}_3\text{N}_4 + 6\text{HCl}.+ 2text{H}_2 ]
该反应需要高温才能有效进行，从而确保沉积出高质量的氮化硅层。
3.沉积薄膜的质量
在这些温度下形成的氮化硅层是无定形的、致密的，并具有良好的化学稳定性和热稳定性。
这些特性对于氮化硅在半导体制造中的应用至关重要，因为氮化硅可用作选择性氧化的掩膜、蚀刻工艺的硬掩膜以及电容器的电介质。
4.工艺控制
在这些温度下进行 LPCVD 工艺还能更好地控制薄膜的特性，例如应力（拉伸或压缩），可根据具体应用要求进行调整。
这种控制对于确保使用氮化硅层的集成电路的可靠性和性能至关重要。
总之，使用 LPCVD 技术沉积氮化硅的最佳温度为 700 至 800°C，有利于形成对各种半导体制造工艺至关重要的高质量稳定薄膜。
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