化学气相沉积(CVD)是一种将基底暴露于挥发性前驱体的工艺。
这些前驱体在基底表面发生反应和/或分解,产生所需的沉积物。
化学气相沉积过程中使用的温度因具体应用而异。
化学气相沉积的温度是多少?(4 个关键温度解释)
1.典型的 CVD 温度
在典型的化学气相沉积过程中,基底会在低温下接触到一种或多种具有高蒸汽压的挥发性前驱体。
这些温度范围为 373-673 K(100-400 °C)。
前驱体可以是氯化物或有机金属化合物。
选择低温是为了确保前驱体处于气相状态,易于在基底表面发生反应,形成所需的沉积物。
2.油蒸馏中的高温
在其他应用中,例如在旋转蒸发器中蒸馏油或蒸发溶剂时,需要使用较高的温度。
例如,在用于油蒸馏的抹膜短路径分子蒸馏器中,温度可高达 343 摄氏度(650 华氏度)。典型的蒸馏温度范围为 130-180 摄氏度(266-356 华氏度)。在这些系统中,原料或溶剂分布在蒸发室壁上,形成一层薄膜。 挥发性较强的成分蒸发后被单独收集,而所需的化合物则被收集到温度较低的中央冷凝器装置中。