化学气相沉积（CVD）是一种将基底暴露于挥发性前驱体中的工艺，挥发性前驱体在基底表面发生反应和/或分解，产生所需的沉积物。化学气相沉积过程中使用的温度因具体应用而异。
在典型的 CVD 中，基底会在 373-673 K（100-400 °C）的低温下接触到一种或多种具有高蒸汽压的挥发性前驱体。这些前驱体可以是氯化物或有机金属化合物。选择低温是为了确保前驱体处于气相状态，易于在基底表面发生反应，形成所需的沉积物。
在其他应用中，例如在旋转蒸发器中蒸馏油或蒸发溶剂时，会使用较高的温度。例如，在用于油蒸馏的抹膜短路径分子蒸馏器中，温度可高达 343 摄氏度（650 华氏度）。典型的蒸馏温度范围为 130-180 摄氏度（266-356 华氏度）。在这些系统中，原料或溶剂分布在蒸发室壁上，形成一层薄膜。挥发性较强的成分蒸发后被单独收集，而所需的化合物则被收集到温度较低的中央冷凝器装置中。工艺的最后一步是去除溶剂，通常是在一个单独的外部冷阱中进行，冷阱的温度也受到控制。
在旋转蒸发仪中，"Delta 20 "经验法则用于优化蒸发过程。根据这一规则，有效蒸汽温度比加热槽的设定温度低约 20 摄氏度。这是因为蒸发过程会从液体混合物中释放出能量和热量。为了有效冷凝，冷凝器的冷却温度应比有效蒸汽温度至少低 20 摄氏度。
总之，化学气相沉积的温度会因具体应用和所使用的前驱体或化合物而异。重要的是要选择适当的温度，以确保有效执行所需的沉积或蒸发过程。
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