原子层沉积 (ALD) 是一种能以原子层精度沉积超薄层的沉积技术。
总结：
原子层沉积（ALD）是化学气相沉积（CVD）的一种高精度变体，可沉积出原子层精度的超薄薄膜。这种精度是通过气态前驱体的顺序和自限制表面反应实现的，从而实现对薄膜厚度、密度和保形性的出色控制。ALD 尤其适用于在高纵横比结构上沉积薄膜，以及需要对薄膜特性进行纳米级控制的应用。
-
详细说明：ALD 的精度和控制：
-
ALD 的工作原理是以不重叠的方式将气态前驱体脉冲注入反应室。每种前驱体以自我限制的方式与基底表面发生反应，形成单层。重复此过程可形成所需的薄膜厚度。反应的自限性确保了每个循环只增加一个原子层，从而对薄膜的厚度和均匀性提供了出色的控制。
-
与 CVD 相比：
-
虽然 ALD 和 CVD 都是通过化学反应沉积薄膜，但两者的关键区别在于反应的控制和机制。CVD 依靠反应物的通量来控制薄膜的生长，这可能会导致薄膜不够精确和不均匀，尤其是在复杂或高纵横比结构上。而 ALD 则将反应分离成单独的、可控的步骤，从而提高了沉积薄膜的精度和一致性。应用和优势：
ALD 特别适用于对纳米级薄膜特性的精确控制要求极高的应用领域。这包括电子设备尺寸不断缩小的半导体制造，以及精密光子设备、光纤和传感器的制造。尽管与其他方法相比，ALD 更耗时，可沉积的材料范围也有限，但它能在各种形状的基底上均匀沉积薄膜，而且精度高，因此在高科技产业中不可或缺。
