在化学气相沉积（CVD）中使用等离子体主要是为了提高前驱体在较低温度下的化学反应活性，改善沉积薄膜的质量和稳定性，并提高沉积速率。这是通过等离子体对前驱体气体的电离和活化来实现的，电离和活化可促进活性物质的形成，而活性物质可随时发生反应，在基底上形成所需的薄膜。
更低的沉积温度：
与传统热化学气相沉积法相比，等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）可在更低的温度下沉积薄膜。例如，使用 PECVD 技术，可在 300°C 至 350°C 的温度下沉积出高质量的二氧化硅 (SiO2) 薄膜，而标准的 CVD 技术需要 650°C 至 850°C 的温度才能沉积出类似的薄膜。这对于不能承受高温的基底或保持温度敏感材料的特性至关重要。增强化学反应活性：
在 CVD 工艺中使用等离子体可增强反应物的化学活性。等离子体由直流、射频（交流）和微波等源产生，可电离和分解前驱气体，产生高浓度的反应物。这些物质由于处于高能状态，很容易发生反应形成所需的薄膜。等离子体对前驱体气体的活化减少了对高热能的需求，而在热化学气相沉积过程中，启动和维持化学反应通常需要高热能。
提高薄膜质量和稳定性：
与其他 CVD 技术相比，等离子体增强方法（如直流等离子体喷射、微波等离子体和射频等离子体）可提供更好的沉积薄膜质量和稳定性。等离子体环境使沉积更可控、更均匀，从而提高薄膜的附着力、密度和均匀性等性能。这对于薄膜的完整性和性能至关重要的应用尤为重要。更快的生长速度：
与传统 CVD 相比，等离子体增强 CVD 通常具有更快的生长速度。例如，据报道直流等离子喷射、微波等离子和射频等离子的生长速度分别为 930 µm/h、3-30 µm/h 和 180 µm/h。这些高生长率有利于对产量和效率要求极高的工业应用。
