真空炉
真空电弧感应熔炼炉
货号 : KT-VA
价格根据 规格和定制情况变动
- 容量
- 1-200 公斤
- 工作电压
- 20-40 伏特
- 真空压力
- 1.3-1.3x10-2
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应用
真空电弧炉主要用于熔炼钛、铌、锆等活性金属以及钨、钼等难熔金属。此外,它还用于熔炼铁基、镍基、钴基等合金材料。
真空电弧炉的特点是高温、快速熔炼、显著的脱气效果、熔融金属无难熔物污染,并能减少金属中的非金属夹杂物。
真空电弧炉广泛应用于学校、研究所和机构中超高温金属材料、高熵合金材料、母合金材料、难熔金属材料、稀贵金属材料的冶炼和提纯。它可以有效地去除氧和杂质。
详情与部件
特点
- 炉体均为不锈钢材质,外观美观,不生锈。
- 采用立式圆筒形真空室
- 配有大直径观察窗,可实时观察炉内熔炼情况
- 熔炼温度高,温度可达3500度以上,
- 采用专用的电弧熔炼电源。
- 配有操作模拟屏,控制数据直观显示,操作直观简单
- 高真空设计,真空度可达5x10E-4Pa及以上
- 设有超温保护,并加装滤光玻璃保护眼睛
- 水冷铜电极可360度移动,操作灵活。同时,水冷坩埚体积小且可更换,可定制。
- 配有材料翻转装置,克服了材料单面熔化不均匀的情况
- 带真空吸铸的铸造站
- 设备效率:大多数金属材料加热重熔时间在一分钟或更短。
技术规格
| 型号 | KT-VA1 | KT-VA5 | KT-VA25 | KT-VA200 |
| 容量 (Kg) | 1 | 5-15 | 25 | 200 |
| 工作电压 (V) | 20-40 | |||
| 工作电流 (A) | 1000A | 3000A | 6000A | 12000A |
| 真空压力 (Pa) | 1.3-1.3x10-2 | |||
| 电极尺寸 (mm) | Φ25-40 x 400 | Φ10-45x1200 | Φ30-60x1350 | Φ56-150x1745 |
| 锭子尺寸 (mm) | Φ60x100 | Φ80x135 | Φ100x400mm | Φ200x670mm |
| 尺寸 (m) | 0.8x0.35x1.8 | 3.81x3.0x5.21 | 4.43x3.33x4.93 | 7.4x3.4x6.72 |
警告
操作员安全是最重要的问题! 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的,操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的,操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时,尤其是在真空下,也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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FAQ
什么是真空感应炉及其工作原理?
真空炉有哪些用途?
什么是 CVD 炉?
化学气相沉积(CVD)是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源,使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应,从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说,就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室,然后相互反应形成新的材料,并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统,广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
真空感应炉的主要应用有哪些?
真空感应熔炼炉如何工作?
什么是真空电弧熔炼工艺?
真空炉的工艺流程是什么?
CVD 炉是如何工作的?
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气,确保反应管内没有多余的气体,然后管式炉将反应管加热到目标温度,反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应,在CVD炉内形成化学气相沉积。
使用真空感应炉有哪些优势?
真空感应熔炼有哪些优势?
什么是真空电弧重熔 (VAR) 炉?
真空炉中使用什么气体?
在 CVD 过程中使用哪种气体?
CVD过程中可以使用的气源非常多,常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原,因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例,CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
真空感应炉可加工哪些类型的材料?
真空对感应熔炼炉有何帮助?
真空电弧熔炼炉如何工作?
真空炉中使用的加热元件是什么?
CVD 系统的优势是什么?
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时,它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体,如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层,这是液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行,因此涂层衍射效果好,形状复杂的工件也能得到均匀的涂层,这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散,可获得附着力良好的涂层,这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点,在低温生长条件下,反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应,因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比,化学气相沉积(CVD)是在高饱和度下进行的,成核率高,成核密度大,且在整个平面上分布均匀,因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤,这是制造金属氧化物半导体(MOS)和其他器件的必要条件
真空感应炉中的真空环境如何改善材料性能?
什么是真空感应熔炼炉?
真空电弧熔炼炉有哪些应用?
PECVD 代表什么?
等离子体化学气相沉积(PECVD)是利用等离子体激活反应气体,促进基片表面或近表面空间发生化学反应,生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是,在射频或直流电场的作用下,源气体电离形成等离子体,以低温等离子体为能源,引入适量的反应气体,利用等离子体放电激活反应气体,实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式,可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思?
使用真空电弧熔炼炉有哪些优势?
CVD 和 PECVD 的区别是什么?
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子,可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能,从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K,电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组,从而生成更多的活性化学基团,而整个反应体系则保持较低的温度。
因此,与 CVD 工艺相比,PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
使用真空电弧熔炼炉时应遵守哪些安全预防措施?
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