碳化硅（SiC）是一种通过各种方法加工而成的多功能材料，每种方法都有助于其在传统和新兴产业中的广泛应用。
如何加工碳化硅？4 种主要方法解析
1.烧结法
烧结包括使用纯碳化硅粉末和非氧化物烧结助剂。
该工艺采用传统的陶瓷成型技术。
烧结需要惰性气氛，温度高达 2000°C 或更高。
这种方法生产出的碳化硅陶瓷具有出色的高温机械强度。
它还具有高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性和耐腐蚀性。
这些特性使碳化硅适用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承、防弹装甲、太空反射器、半导体晶片制备中的夹具材料以及核燃料包层材料。
2.反应结合
反应键合碳化硅是通过将碳化硅和碳的混合物与液态硅渗入压实物而制成的。
硅与碳发生反应，形成额外的碳化硅，从而将原始的碳化硅颗粒粘合在一起。
这种方法可以有效地制造出具有特定机械性能的材料。
它可用于要求高耐磨性和抗热震性的应用领域。
3.晶体生长和化学气相沉积（CVD）
制造商使用化学气相沉积法在硅晶片基底上生长 3C 和 6H 碳化硅。
这种工艺可在单晶碳化硅薄膜中引入 n 型和 p 型掺杂剂。
这种工艺在开发相对较厚、不含杂质的碳化硅晶体方面具有很高的成本效益。
CVD 生产的碳化硅具有低电阻，是一种理想的导电体。
这一特性有利于使用电火花加工方法制造精细特征，这对于产生高纵横比的微小孔洞非常有用。
4.碳化硅粉末的工业制备
碳化硅粉末的工业制备方法包括艾奇逊法（碳热还原法）、二氧化硅低温碳热还原法和硅碳直接反应法。
这些方法在不同的温度下合成碳化硅粉末。
它们可以生成α-SiC 或 β-SiC，每种方法都有特定的用途。
α-SiC 主要用于碳化硅陶瓷产品。
β-SiC 用于精密研磨和抛光材料。
总之，碳化硅的加工涉及一系列复杂的技术，以利用材料的独特性能满足各种工业应用。
加工方法的选择取决于所需的性能和碳化硅产品的具体应用。
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