碳化硅 (SiC) 的加工方法多种多样，包括烧结、反应键合、晶体生长和化学气相沉积 (CVD)。每种方法都有其独特的特点和应用，从而使碳化硅在传统和新兴产业中都具有多功能和广泛的用途。
烧结：
烧结涉及使用纯 SiC 粉末和非氧化物烧结助剂。该工艺采用传统的陶瓷成型技术，需要在温度高达 2000°C 或更高的惰性气氛中烧结。这种方法对于生产具有出色的高温机械强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性和耐腐蚀性的碳化硅陶瓷至关重要。这些特性使碳化硅适用于高温窑具、燃烧、喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承、防弹装甲、太空反射器、半导体晶片制备中的夹具材料以及核燃料包层材料。反应粘合：
反应结合碳化硅的制造方法是将碳化硅和碳的混合物与液态硅一起渗入压实物中。硅与碳发生反应，形成额外的碳化硅，从而将原始的碳化硅颗粒粘合在一起。这种方法对制造具有特定机械性能的材料特别有效，可用于要求高耐磨性和抗热震性的应用领域。
晶体生长和化学气相沉积（CVD）：
制造商使用 CVD 在硅晶片基底上生长 3C 和 6H 碳化硅。这种工艺可以在单晶碳化硅薄膜中引入 n 型和 p 型掺杂剂，因此在开发相对较厚、不含杂质的碳化硅晶体方面具有很高的成本效益。CVD 生产的碳化硅具有低电阻，是一种理想的导电体。这一特性有利于使用电火花加工方法制造精细特征，这对产生高纵横比的微小孔洞非常有用。
碳化硅粉末的工业制备：
