CVD（化学气相沉积）通过在金属基底上高温分解碳氢化合物气体来形成石墨烯。该过程包括几个步骤：气体输送到基底、吸收、反应和副产品的解吸。它可以控制生产出的石墨烯的厚度和质量，使其适用于各种应用。
CVD 生产石墨烯的原理概述：
- 用于生产石墨烯的 CVD 包括以下关键步骤：将气体物种输送到基底表面：
- 烃类气体（如甲烷）被引入高温（约 1000°C）反应室，然后被输送到金属基底（通常为铜、钴或镍）表面。气体物种吸收到表面：
- 碳氢化合物气体到达加热的金属表面后会分解成单个碳原子。这些碳原子被吸收到金属表面。反应和产物沉积：
- 被吸收的碳原子在金属表面发生反应并结合在一起，形成一层连续的、单原子厚的石墨烯薄膜。这一步至关重要，因为它决定了石墨烯层的质量和均匀性。副产物和未反应物的解吸：
将任何副产品和未反应气体从反应室中清除，在基底上留下新形成的石墨烯层。
- 详细说明：控制沉积速率和质量：
- CVD 可以精确控制石墨烯薄膜的沉积速率和质量。气体流速、温度和曝光时间等因素均可调整，以影响石墨烯层的厚度和均匀性。这种控制对于电子设备和透明导体等需要高质量石墨烯的应用至关重要。基底和冷却条件的影响：
- 金属基底的选择和沉积后的冷却条件会极大地影响石墨烯的质量。例如，铜基底由于能够促进单层石墨烯的生长，通常是首选。但是，冷却速度和冷却过程中碳氢化合物的浓度会影响石墨烯的成核和生长行为，从而影响其质量。基底的预处理：
为提高石墨烯的质量，可对基底进行预处理，如用醋酸进行湿化学处理，以防止氧化并提高成核密度。结论
