更新于 3个月前
在比较热 CVD 和 PECVD 时，了解沉积过程中使用的不同温度和能源非常重要。
热化学气相沉积完全依靠热激活来驱动气体和表面反应。
热化学气相沉积包括将基底加热到高温，通常在 500˚C 以上，以促进化学反应和所需材料的沉积。
PECVD 利用热能和射频诱导的辉光放电来控制化学反应。
射频能量产生的等离子体产生的自由电子与反应气体碰撞，使其解离并产生所需的反应。
PECVD 的工作温度较低，从 100˚C 到 400˚C 不等。
较低的温度可减少对材料的应力，更好地控制沉积过程。
PECVD 具有沉积温度低、薄膜沉积控制更好以及能够沉积具有良好介电性能的薄膜等优点。
使用 KINTEK 先进的 PECVD 系统升级您的实验室！ 体验更低沉积温度、更小材料应力和优异介电性能带来的好处。不要错过等离子体增强化学气相沉积的最新技术。立即联系我们，利用 KINTEK 增强您的研究能力！
使用 PECVD 涂层设备升级您的涂层工艺。是 LED、功率半导体、MEMS 等领域的理想之选。在低温下沉积高质量的固体薄膜。
KT-PE12 滑动 PECVD 系统：功率范围广、可编程温度控制、滑动系统快速加热/冷却、MFC 质量流量控制和真空泵。
射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统
RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC（类金刚石碳膜）。其波长范围为 3-12um 红外线。
介绍我们的倾斜旋转式 PECVD 炉，用于精确的薄膜沉积。可享受自动匹配源、PID 可编程温度控制和高精度 MFC 质量流量计控制。内置安全功能让您高枕无忧。
KT-CTF16 客户定制多功能炉是您的专属 CVD 炉。可定制滑动、旋转和倾斜功能，用于精确反应。立即订购！
了解圆柱形谐振器 MPCVD 设备，这是一种微波等离子体化学气相沉积方法，用于在珠宝和半导体行业中生长钻石宝石和薄膜。了解其与传统 HPHT 方法相比的成本效益优势。
用于热管理的 CVD 金刚石：导热系数高达 2000 W/mK 的优质金刚石，是散热器、激光二极管和金刚石氮化镓 (GOD) 应用的理想之选。
CVD 金刚石涂层：用于切割工具、摩擦和声学应用的卓越导热性、晶体质量和附着力
KT-CTF14 多加热区 CVD 炉 - 适用于高级应用的精确温度控制和气体流量。最高温度可达 1200℃，配备 4 通道 MFC 质量流量计和 7" TFT 触摸屏控制器。
用于实验室和金刚石生长的钟罩式谐振器 MPCVD 金刚石设备
使用我们专为实验室和金刚石生长设计的 Bell-jar Resonator MPCVD 设备获得高质量的金刚石薄膜。了解微波等离子体化学气相沉积如何利用碳气和等离子体生长金刚石。
纳米金刚石复合涂层拉丝模以硬质合金（WC-Co）为基体，采用化学气相法（简称 CVD 法）在模具内孔表面涂覆传统金刚石和纳米金刚石复合涂层。
