更新于 2个月前
在比较热 CVD 和 PECVD 时，了解沉积过程中使用的不同温度和能源非常重要。
热化学气相沉积完全依靠热激活来驱动气体和表面反应。
热化学气相沉积包括将基底加热到高温，通常在 500˚C 以上，以促进化学反应和所需材料的沉积。
PECVD 利用热能和射频诱导的辉光放电来控制化学反应。
射频能量产生的等离子体产生的自由电子与反应气体碰撞，使其解离并产生所需的反应。
PECVD 的工作温度较低，从 100˚C 到 400˚C 不等。
较低的温度可减少对材料的应力，更好地控制沉积过程。
PECVD 具有沉积温度低、薄膜沉积控制更好以及能够沉积具有良好介电性能的薄膜等优点。
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