等离子体增强化学气相沉积（PECVD）中的前驱气体以气态引入反应室。这种气体至关重要，因为它在等离子体存在的情况下会发生解离，与传统的化学气相沉积 (CVD) 相比，可在更低的温度下沉积薄膜。等离子体通常由射频 (RF) 能量产生，通过电子-分子碰撞激活前驱气体，产生高能激发分子和分子碎片，然后吸附到基底表面，形成所需的薄膜。
PECVD 前驱气体的选择至关重要，因为它决定了沉积薄膜的成分和特性。PECVD 中常用的前驱气体包括硅基薄膜用的硅烷 (SiH4)、含氮薄膜用的氨气 (NH3) 以及有机-无机混合材料用的各种有机硅化合物。选择这些气体的依据是所需的化学成分和薄膜的预期用途。
在 PECVD 过程中，前驱气体通过喷淋头装置送入腔室，喷淋头装置不仅能确保气体在基底上的均匀分布，还能作为射频能量导入的电极，促进等离子体的产生。等离子体环境会促进前驱气体的解离，从而形成活性物质，沉积在基底上形成薄膜。这一过程在低压（0.1-10 托）和相对较低的温度（200-500°C）下进行，有助于最大限度地减少对基底的损坏，提高薄膜的均匀性。
PECVD 的低温操作扩大了可涂层基底的范围，包括塑料等对温度敏感的材料，这些材料不适合高温 CVD 工艺。这种能力对于半导体和电子行业尤为重要，因为在这些行业中，集成具有不同热特性的各种材料对于设备的性能和可靠性至关重要。
总之，PECVD 中的前驱体气体在沉积过程中起着举足轻重的作用，决定着沉积薄膜的化学成分和性质。使用等离子体激活这些气体可以在较低的温度下沉积出高质量的薄膜，从而拓宽了该技术在各行各业的应用范围。
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