在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）中，前驱气体以气态被引入反应室。
这种气体在等离子体的作用下会发生解离，因此至关重要。
与传统的化学气相沉积（CVD）相比，等离子体有助于在更低的温度下沉积薄膜。
等离子体通常由射频 (RF) 能量产生。
射频能量通过电子-分子碰撞激活前驱体气体，产生高能激发分子和分子碎片。
然后，这些碎片被吸附到基底表面，形成所需的薄膜。
需要了解的 5 个要点
1.前驱气体的重要性
在 PECVD 中，前驱气体的选择至关重要。
它决定了沉积薄膜的成分和性质。
2.常见前驱体气体
PECVD 中常用的前驱气体包括用于硅基薄膜的硅烷 (SiH4)。
氨气（NH3）用于含氮薄膜。
各种有机硅化合物用于有机-无机混合材料。
3.气体分配和等离子体生成
前驱体气体通过喷淋头装置送入腔室。
喷淋头可确保气体在基底上均匀分布。
它还可作为射频能量导入的电极，促进等离子体的生成。
4.低温操作
PECVD 过程在低压（0.1-10 托）和相对较低的温度（200-500°C）下进行。
这有助于最大限度地减少对基底的损坏，并提高薄膜的均匀性。
5.广泛的适用性
PECVD 的低温操作扩大了可涂层基底的范围。
它包括塑料等对温度敏感的材料，这些材料不适合高温 CVD 工艺。
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