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是的，热蒸发用于沉积金属薄膜。这种方法是物理气相沉积（PVD）中的一种常用技术，广泛应用于各行各业，用于在基底上沉积金属和非金属。
说明：
工艺概述：
热蒸发是指在高真空环境中加热材料，直至其汽化。然后，蒸气穿过真空，在较冷的基底上凝结，形成薄膜。这种工艺对熔点相对较低的金属特别有效，因此应用范围广泛。应用：
该技术通常用于沉积 OLED、太阳能电池和薄膜晶体管等设备的金属接触层。它还可用于沉积用于晶片键合的厚铟层。通过控制单个坩埚的温度来共同沉积多种成分的能力可实现更复杂的应用，例如在半导体晶片和碳基 OLED 中创建金属结合层。
方法：
在热蒸发过程中，电阻式热源用于加热真空室中的材料。材料被加热，直到其蒸气压高到足以发生蒸发。蒸发后的材料覆盖在基底上，基底通常位于蒸发材料的上方。使用电阻船或线圈可以直观地看到这一过程，电流通过金属带加热材料颗粒，直到它们熔化并蒸发，在所需表面上形成涂层。
工业相关性：
用于沉积薄膜的容器；具有铝涂层陶瓷本体，可提高热效率和耐化学性。
电子束蒸发涂层无氧铜坩埚可实现各种材料的精确共沉积。其可控温度和水冷设计可确保纯净高效的薄膜沉积。
使用 PECVD 涂层设备升级您的涂层工艺。是 LED、功率半导体、MEMS 等领域的理想之选。在低温下沉积高质量的固体薄膜。
蒸发舟源用于热蒸发系统，适用于沉积各种金属、合金和材料。蒸发舟源有不同厚度的钨、钽和钼，以确保与各种电源兼容。作为一种容器，它可用于材料的真空蒸发。它们可用于各种材料的薄膜沉积，或设计成与电子束制造等技术兼容。
用于高温应用的容器，可将材料保持在极高温度下蒸发，从而在基底上沉积薄膜。
它具有很高的熔点、导热性和导电性以及耐腐蚀性。它是高温、真空和其他行业的重要材料。
它可用于各种金属和合金的气相沉积。大多数金属都能完全蒸发而不损失。蒸发筐可重复使用1。
主要用于电力电子领域的一种技术。它是利用电子束技术，通过材料沉积将碳源材料制成的石墨薄膜。
钨和钼坩埚具有优异的热性能和机械性能，常用于电子束蒸发工艺。
射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统
RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC（类金刚石碳膜）。其波长范围为 3-12um 红外线。
在电子枪光束蒸发中，坩埚是一种容器或源支架，用于盛放和蒸发要沉积到基底上的材料。
