金属有机化学气相沉积（MOCVD）的组成部分包括源供应系统、气体输送和流量控制系统、反应室和温度控制系统、尾气处理和安全保护报警系统以及自动操作和电子控制系统。每个组件都对 MOCVD 过程的精确和安全运行起着至关重要的作用。
源供应系统：
MOCVD 的源供应系统负责提供必要的金属有机前驱体和反应气体。这些前驱体通常是金属有机化合物，反应气体可包括氢气、氮气或其他惰性气体。该系统可确保以受控方式将这些材料输送到反应室，这对薄膜生长的质量和可重复性至关重要。气体输送和流量控制系统：
该系统用于在反应室入口处混合前驱体和反应气体。它在受控流量和压力条件下运行，以确保气体的适当分布和浓度。气体流量的精确性对于在沉积过程中保持所需的化学反应至关重要。
反应室和温度控制系统：
反应室是将材料实际沉积到基底上的地方。反应室通常为冷壁石英室或不锈钢室，在大气压或低压下运行。温度控制系统可将基底保持在精确的温度下，通常在 500-1200°C 之间，这对薄膜生长所需的热分解反应至关重要。尾气处理和安全保护警报系统：
鉴于 MOCVD 中使用的源材料具有易燃、易爆和有毒的性质，因此需要一个强大的尾气处理系统，以便在反应室中使用这些气体后对其进行安全处理和中和。安全保护报警系统可监控系统中的任何潜在危险，并向操作员发出警报，确保工艺安全。
