溅射沉积的缺点可归纳如下：
1) 沉积速率低：与热蒸发等其他沉积方法相比，溅射沉积速率通常较低。这意味着需要更长的时间才能沉积出所需厚度的薄膜。
2) 沉积不均匀：在许多配置中，沉积流量分布是不均匀的，这意味着整个基底上的薄膜厚度可能不同。这就需要移动夹具以获得厚度均匀的薄膜。
3) 靶材昂贵，材料利用率低：溅射靶材通常很昂贵，而且材料使用效率可能很低。这会导致成本增加和资源浪费。
4) 发热和散热：在溅射过程中，入射到靶材上的大部分能量都会变成热量，需要有效地去除。这可能具有挑战性，可能需要使用冷却系统，从而降低了生产率，增加了能源成本。
5) 污染：在某些情况下，气体污染物会在溅射过程中被等离子体 "激活"，从而导致薄膜污染。与真空蒸发相比，这可能是更大的问题。
6) 气体成分控制：在反应溅射沉积过程中，需要仔细控制气体成分，以防止溅射靶中毒。这增加了工艺的复杂性，需要精确控制。
7)薄膜厚度控制：虽然溅射沉积可以在没有厚度限制的情况下实现高沉积速率，但却无法精确控制薄膜厚度。薄膜厚度主要通过固定操作参数和调整沉积时间来控制。
8) 难以实现升华结构：溅射工艺与升离技术相结合可能更难实现薄膜的结构化。溅射的扩散传输特性使其无法完全限制原子的去向，从而导致污染问题。
9) 引入杂质：与蒸发沉积相比，溅射更容易在基底中引入杂质。这是因为溅射法的真空度较低。
10) 有机固体降解：有些材料，如有机固体，在溅射过程中很容易被离子轰击降解。这限制了溅射沉积某些类型材料的使用。
总的来说，溅射沉积具有薄膜致密性更好、薄膜性能可控、可在大型晶片上沉积薄膜等优点，但它也有一些缺点，在选择沉积方法时需要加以考虑。
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