影响溅射的因素有哪些？控制您的薄膜沉积过程

本质上，溅射过程受您的靶材特性、溅射气体的类型和压力以及用于产生等离子体的电功率控制。这些因素共同决定了沉积速率、所得薄膜的质量以及过程的整体效率。

掌握溅射技术在于控制轰击离子与靶材之间的相互作用。离子的能量、它们穿过的环境以及靶材本身的性质是您可以用来实现特定结果的主要控制因素。

核心组成部分：靶材、气体和基板

物理材料及其排列构成了溅射过程的基础。改变这些核心组件中的任何一个都会从根本上改变结果。

您打算沉积的材料被称为靶材。其物理特性是一个关键因素。

每种材料都有一个表面结合能，这是将原子从其表面剥离所需的能量。结合能较低的材料更容易溅射，从而导致更高的沉积速率。

通过电离惰性气体产生等离子体，然后加速微波射向靶材。氩气是最常见的选择，因为它相对丰富且具有成本效益。

气体离子的质量会影响靶原子。像氙气这样的较重离子可以更有效地传递动量，从而产生更高的溅射产额和更快的沉积，尽管成本更高。

溅射出的原子从靶材移动并沉积到基板上。这两个元件之间的距离和方向很重要。

这种传输性质在很大程度上是视线发生的。较大的距离可以提高薄膜在基板上的均匀性，但也会降低沉积速率，因为更多的溅射原子可能会沉积在腔室壁上。

一旦定义了物理设置，过程就由一组动态参数控制。这些是在沉积过程中调整的可变因素。

使用电场来电离溅射气体并将产生的离子加速朝向靶材。

增加功率或电压会使更多的离子带电，并以更大的力加速它们。这直接增加了从靶材中喷射出的原子速率，从而导致更高的沉积速率。

真空腔室内的气体压力是一种微妙的平衡。它必须足够低以创造一个清洁的环境，但又足够高以维持稳定的等离子体。

如果压力过高，溅射出的原子将与太多的气体分子发生碰撞，使它们散射，并在到达基板之前降低其能量。这会降低沉积速率并可能影响薄膜结构。

在现代系统中，磁铁放置在靶材后面（一种称为磁控溅射的技术）。这些磁铁将电子限制在靶材表面附近。

这种限制极大地提高了气体电离的效率，在需要的地方产生了更密集的等离子体。这使得能够在较低压力下实现高沉积速率，从而提高速度和薄膜质量。

优化溅射不是要最大化一个因素，而是要平衡相互竞争的优先级。理解这些权衡是实现所需薄膜特性的关键。

为最大化沉积速率而积极增加功率可能会适得其反。高能轰击可能会引入应力、产生缺陷或产生过多的热量，从而损害生长中薄膜的质量和完整性。

虽然较低的压力会提高沉积速率，但较高的压力有时也是可取的。溅射原子的增加散射有时有助于覆盖基板上复杂三维特征的侧壁，这种特性称为阶梯覆盖率。

总工艺循环时间不仅仅是沉积时间。它还包括泵浦系统达到所需真空所需的时间。更大、更复杂的真空腔室可能提供更多功能，但泵送时间会更长，从而影响整体吞吐量。

您的最佳参数完全取决于您试图实现的目标。使用这些原则来指导您的决策。

最终，控制溅射过程是在受控真空环境中精确管理能量和粒子相互作用的问题。