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铝溅射是溅射工艺的一种特殊应用，它以铝为目标材料，在各种基底上沉积薄膜。一般来说，溅射是一种沉积技术，利用等离子体将原子从固体靶材料中分离出来，然后沉积到基底上形成薄膜。由于这种工艺能够生产出均匀度、密度、纯度和附着力都非常出色的薄膜，因此被广泛应用于半导体、光学设备和其他高科技元件的制造中。
铝溅射摘要：
铝溅射是在溅射装置中使用铝作为靶材料。该过程在真空室中进行，通过电离气体（通常是氩气）产生等离子体。然后，带正电荷的氩离子被加速冲向铝靶，将铝原子从其表面击落。这些铝原子穿过真空，沉积到基底上，形成一层均匀的薄层。
详细说明：真空室设置：
该过程首先将铝靶和基底置于真空室中。真空环境对于防止污染和让铝原子畅通无阻地到达基底至关重要。
产生等离子体：
将惰性气体（通常是氩气）引入真空室。然后，电源使氩气电离，产生等离子体。在这种等离子状态下，氩原子失去电子，变成带正电的离子。溅射工艺：
带正电荷的氩离子在电场作用下加速冲向铝靶。当它们与铝靶碰撞时，通过动量传递将铝原子从铝靶表面移开。这一过程被称为物理气相沉积（PVD）。
在基底上沉积：
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