石墨烯的化学气相沉积法是利用化学气相沉积（CVD）在金属基底上生长石墨烯。
这一过程包括在加热的反应室中将气态反应物沉积在基底上。
通过反应生成一层材料薄膜，在本例中就是石墨烯。
CVD 工艺基于含碳气体在金属催化剂作用下发生高温反应。
金属催化剂既是碳物种分解的催化剂，也是石墨烯晶格成核的表面。
CVD 石墨烯是单原子厚的碳原子层，以六方晶格结构排列。
术语 "CVD 石墨烯 "特指其生产方法，这使其有别于其他形式的石墨烯。
CVD 工艺可以合成少层和单层石墨烯薄膜，是一种广泛使用的自下而上的石墨烯生产方法。
CVD 法之所以在石墨烯生长领域大受欢迎，是因为它易于在研究实验室中安装，可在工业环境中长期成功使用，并且具有扩大制造规模的潜力。
根据不同的加工参数，如温度、压力、前驱体性质、气体流动状态、壁/基底温度、沉积时间和活化方式，用于生产石墨烯的 CVD 工艺可分为七种主要类型。
这些方法可以合成具有不同特性的石墨烯基材料，使其成为生产大表面积石墨烯的多功能高效方法。
总之，石墨烯的 CVD 方法是一种化学气相沉积工艺，包括使用气态反应物在金属基底上生长石墨烯。
这种方法可生产单层或多层石墨烯薄片，并可通过气体流速、温度和暴露时间等各种条件进行控制。
由于 CVD 工艺在生产高质量石墨烯薄膜方面具有多功能性、可扩展性和高效性，因此被广泛用于石墨烯生产。
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