制造工艺中的沉积是什么？为微芯片构建卓越薄膜

简单来说，沉积是将一层薄薄的材料添加到表面（称为衬底）的过程。在微制造中，这是一个基本的“构建”步骤，原子或分子被精确地施加到硅晶圆上，以构建形成集成电路的晶体管、导线和其他组件的复杂层。

要理解的核心概念是，沉积不是单一的动作，而是一系列高度受控的技术。关键的选择是在两种方法家族之间进行——物理气相沉积 (PVD) 和 化学气相沉积 (CVD)——每种方法都适用于创建具有特定属性的不同类型的层。

沉积在制造中的作用

现代微芯片不是平面的；它们是逐层构建的三维结构，有时包含超过 100 个不同的层。每一层都有特定的用途。

有些层必须是导电的，以充当导线（例如，铜、铝）。有些层必须是绝缘的，以防止电短路（例如，二氧化硅）。还有一些层必须是半导体的，以形成晶体管本身（例如，多晶硅）。

沉积是用于以纳米级精度创建这些关键薄膜的必要过程。

两种主要沉积方法之间的根本区别在于材料如何从其源头传输到衬底。

PVD 是一种视线过程，其中固态或液态源材料在真空中汽化，然后凝结到衬底上。可以将其想象成一种高度受控的喷漆形式，但使用的是单个原子。

两种最常见的 PVD 技术是溅射和蒸发。

在溅射中，由所需材料制成的靶材受到高能离子（通常是氩气）的轰击。这种碰撞会物理地将原子从靶材上敲落，然后这些原子穿过真空并涂覆在衬底上。

溅射因其强大的附着力而备受推崇，是用于沉积用于布线和触点的金属薄膜的主力。

蒸发更简单：源材料在真空中加热，直到变成气体。这些气态原子沿直线传播，直到它们撞击到较冷的衬底，在那里它们凝结回固态薄膜。

虽然有效，但与溅射相比，这种方法有时会导致薄膜密度较低且附着力较差。

CVD 是一种衬底暴露于一种或多种挥发性前体气体的过程。这些气体在衬底表面发生反应或分解，留下所需的固态薄膜。

想象一下空气中的水分（气体）如何在冰冷的窗玻璃上形成一层固体霜。CVD 以类似的原理运作，但使用精心选择的化学物质来构建特定材料。

CVD 的主要优点是其共形性。由于前体气体可以流入和环绕复杂的表面特征，CVD 可以在高度不规则的三维形貌上沉积厚度均匀的薄膜。这是 PVD 的视线性质难以实现的目标。

在 PVD 和 CVD 之间进行选择并非哪个“更好”的问题，而是哪个更适合特定任务。这个决定涉及关键的权衡。

PVD 是定向的。它擅长涂覆特征的顶部表面，但在侧壁上的覆盖效果较差，这种效应称为阴影效应。

CVD 是非定向的。它能够均匀地涂覆复杂形状，这对于创建必须完美封装底层布线而没有任何间隙的绝缘层至关重要。

传统的 CVD 工艺通常需要非常高的温度（600-800°C 或更高）才能驱动必要的化学反应。这些温度可能会损坏或改变先前沉积的层。

PVD 方法，尤其是溅射，通常可以在低得多的温度下进行，使其与更广泛的材料和制造步骤兼容。一种称为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 的变体专门开发用于在较低温度下实现高质量薄膜沉积。

这两种方法都可以生产高质量的薄膜，但它们的优势不同。CVD，特别是低压化学气相沉积 (LPCVD)，以生产具有卓越纯度和均匀性的薄膜而闻名。

另一方面，PVD 通常更适合创建具有出色附着力的致密金属薄膜，这对于可靠的电互连至关重要。

理解沉积原理就是理解现代电子产品是如何从根本上逐原子层构建的。

沉积方法	核心原理	主要优势	常见应用
物理气相沉积 (PVD)	在真空中汽化固体源材料。	优异的附着力、致密的金属薄膜、较低的温度。	金属互连、布线、触点。
化学气相沉积 (CVD)	在衬底上利用气相化学反应。	卓越的共形性、复杂形状上的均匀覆盖。	绝缘层、半导体薄膜。