磁辅助溅射，特别是磁控溅射，具有多种优势，可增强溅射工艺。
磁辅助溅射的 4 大优势
1.提高沉积速率和效率
磁控溅射使用磁场与电场相结合，使电子靠近靶表面。这种限制使电子以摆线模式移动，增加了电子在等离子体中的路径长度。因此，电子有更多机会与气体分子碰撞并使其电离，从而导致更高的电离率。更高的离子密度意味着有更多的离子可以撞击目标材料，从而加快原子喷射速度，提高基底上的沉积率。
2.材料使用的多样性
与其他溅射技术不同，磁控溅射不需要熔化或蒸发源材料。因此，它适用于包括化合物和合金在内的多种材料，这些材料可用作靶材，同时保持其成分不变。磁场可防止高温过程改变目标材料的特性，从而有助于保持目标材料的完整性。
3.降低气体压力，提高薄膜质量
电子的磁约束使溅射过程可以在较低的气体压力下运行。压力的降低可最大限度地减少沉积薄膜中的气体含量，并减少溅射原子的能量损失。因此，磁控溅射产生的薄膜质量高，缺陷和杂质少。
4.保护基片
磁场不仅能强化溅射过程，还能保护基底免受损坏。通过在靶材附近捕获电子，磁场可防止高能电子和离子撞击基底，否则会造成损坏或不必要的加热。
总之，通过磁控溅射的机制，磁辅助溅射在沉积速率、效率、材料多样性和薄膜质量方面具有显著优势。这些优势源于策略性地使用磁场来控制电子行为和等离子体动力学，从而实现更可控、更高效的溅射环境。
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