石墨烯的 CVD（化学气相沉积）方法包括使用气态反应物在高温下沉积在金属基底（通常为铜、钴或镍）上。这一过程可在基底上形成单原子厚的石墨烯薄膜。CVD 工艺具有很高的可控性，可生产单层或多层石墨烯薄片，并可通过调整气体流速、温度和曝光时间来精确控制膜层厚度。
详细说明：
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工艺概述：
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CVD 方法首先将金属基底（如铜）放入高温炉中。碳氢化合物气体（通常是甲烷或乙烯）被引入反应室。在通常约 1000°C 的温度下，碳氢化合物气体分解成单个碳原子。形成石墨烯：
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分解后的碳原子与金属基底表面结合。当这些原子相互作用并结合在一起时，就形成了一层连续的石墨烯薄膜。金属基底起到催化剂的作用，促进碳氢化合物气体的分解，并为石墨烯晶格的成核和生长提供表面。
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控制参数：
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在 CVD 过程中可以调整的控制石墨烯质量和厚度的关键参数包括气体流速、反应室温度和曝光时间。这些变量对于实现石墨烯薄膜的理想特性（如导电性、透明度和机械强度）至关重要。CVD 的优势：
CVD 方法的显著优势之一是其可扩展性和生产大面积石墨烯薄膜的能力。这对于需要大面积均匀石墨烯薄膜的工业应用尤为重要。此外，CVD 工艺的成本相对较低，而且可以生产出高质量的石墨烯，因此是商业生产的首选方法。
